Дипломная работа: Машинная память
Полупроводниковые устройства памяти
Элементы полупроводникоывх интегральных схем
В настоящее время разработаны различные
виды машинной памяти. Одни конструктивно-технологически хорошо развиты, другие
находятся на стадии снятия с производства. Появляются и новые типы машинной
памяти, такие, как акустическая, магнитоэлектронная, электронно-оптическая,
некоторые из них уже входят в стадию промышленной эксплуатации, например память
на цилиндрических магнитных доменах.
Однако основным видом машинной памяти по
совокупности признаков в настоящее время является полупроводниковая память на
интегральных схемах (ИС).
Это объясняется рядом причин.
По универсальности применения и удобству
подключения полупроводниковые ИС нельзя сравнить ни с какими другими ячейками
памяти. Немаловажно и то, что полупроводниковая технология имеет в своем
арсенале достаточно средств для перевода на интегральную основу любых известных
схемотехнических решений и создания новых схем.
В конструктивном отношении
полупроводниковые ИС представляют собой полупроводниковый кристалл, в объеме
или на поверхности которого сосредоточены изолированные друг от друга элементы,
соединенные согласно электрической схеме. Обычно каждому элементу схемы
соответствует локальная область материала, свойства и характеристики которой
обеспечивают выполнение определенных функций. Основу составляет транзисторная
структура, которая является базовой для реализации всех входящих в схему
активных и пассивных элементов.
Для построения полупроводниковых ЗУ
используются ИС на биполярных транзисторах и на полевых транзисторах со
структурой металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-транзисторы).
В настоящее время четко обозначились два
направления: в ИС на полевых транзисторах стремятся достичь максимальных
степеней интеграции при умеренном быстродействии и малой потребляемой мощностью,
тогда как на биполярных транзисторах строятся сверхскоростные ИС, которые можно
было использовать как элементную базу сверхбыстродействующих ЭВМ.
Скорость переключения биполярного
транзистора из одного состояния в другое , а значит и быстродействие ЗУ,
определяется как параметрами самого прибора, так и схемой его включения.
Практическая скорость срабатывания современных серийных элементов на биполярных
транзисторах составляет 10-9 - 10-8 с. Минимальное время
переключения определяется временем, в течение которого носители заряда проходят
через базу транзистора бьлагодаря процессу диффузии.
В настоящее время наиболее
распространенным материалом транзисторов является кремний. Подвижность
электронов в кремнии ~ 0,1м2/(В*с). Наиболее перспективный материал
для изготовления биполярных транзисторов ближайшего будущего - арсенид галлия (GaAs) - обладает подвижностью электронов около 1 м2/(В*с).
Полевые транзисторы имеют некоторое
преимущество перед биполярными приборами. Они обладают высоким входным сопротивлением
и могут работать при больших напряжениях на входе. Кроме того, управляемый ток
в полевом транзисторе - это ток основных носителей заряда, который гораздо
лучше реагирует на быстрые внешние сигналы.
Различные типы полевых транзисторов
отличаются друг от друга принципом действия затвора. Существуют транзисторы, в
которых роль затвора играют контакт металл-полупроводник, структура
металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) и т.д.
Характерной особенностью
МДП-транзисторов является чрезвычайно высокое сопротивление между электродами.
Это позволяет использовать электроды транзистора в качестве емкостных
накопительных элементов, потенциал которых сохраняется на определенном уровне в
течение продолжительного времени после отключения внешнего источника. Практическая
скорость срабатывания МДП-ячейки составляет 5*10-9 с.
Элемент памяти - триггер. Транзисторы и
логические схемы на их основе сами по себе элементами памяти быть не могут, так
как после прекращения действия входного импульса сразу возвращаются в исходное
состояние.
Для элемента памяти нужно устройство,
которое под действием входного сигнала могло бы переключаться из состояния 0 в
состояние 1 и обратно и при этом после прекращения действия входного импульса
запомнило бы свое состояние и могло находиться в нем неопределенно долго (до
прихода следующего переключающего входного сигнала). Такие электронные схемы,
имеющие два равнозначных варианта устойчивых значений, называют бистабильными
ячейками или триггерами.
Так как входной сигнал кратковременный,
а устойчивое состояние триггера сохраняется как угодно долго (при условии, что
не происходит отключения питания схемы), то триггер тем самым выполняет
логическую функцию запоминания.
Запоминающие элементы на ТТЛ-схемах
(транзисторно-транзисторная логика на биполярных транзисторах) хорошо
приспособлена к технологии больших интегральных схем (БИС). Их преимущество -
высокая степень интеграции. ТТЛ-элементы могут быть совмещены с элементами,
построенными на транзисторных переключателях тока.
Функциональные биполярные приборы в ИС
памяти. Подавляющее большинство биполярных ИС памяти строится на приборах,
функционально более сложных, чем традиционный транзистор.
Основу ИС памяти на ТТЛ-схемах
составляют многоэмиттерные транзисторы. В первом приближении многоэмиттерный транзистор
(МЭТ) можно рассматривать как совокупность отдельных транзисторов соединенных
базами и коллекторами.
Очень часто транзистор сочетают с диодом
Шотки. Диод Шотки в интегральном исполнении представляет собой контакт
полупроводник (n-типа) - металл, на котором
образуется так называемый барьер Шотки. Транзистор с барьером Шотки
характеризуется большим коэффициентом усиления, малым инверсным коэффициентом
передачи и значительным быстродействием.
Широкое распространение в логических и
запоминающий устройствах получили интегральные схемы инжекционного типа. Их
особенность - совместимость с технологией биполярных транзисторов, простота
топологии и высокая плотность упаковки. На элементах инжекционной логики (И2Л)
можно создавать компактные бистабильные триггерные схемы, а для повышения
быстродействия в качестве коллекторов - использовать диоды Шотки.
Элементы памяти на МДП-транзисторах.
Запоминающие элементы на биполярных и МДП-транзисторах обладают тем
существенным недостатком, что даже кратковременное отключение питания приводит
к разрушению записанной информации. Это затрудняет построение надежных
полупроводниковых устройств памяти с электрической перезаписью информации.
Поэтому большое значение приобретают бистабильные МДП-структуры, позволяющие
создавать запоминающие элементы с электрической перезаписью и не разрушаемой
при отключении питания информацией.
Принцип действия бистабильных
МДП-транзисторов заключается в создании в слое диэлектрика объемного заряда,
изменяющего пороговое напряжение. Этот заряд в диэлектрике может достаточно
долго храниться при отсутствии на электродах транзистора напряжения. Для
локализации заряда в структуре может быть использована граница раздела двух
диэлектриков или созданный в диэлектрике специальный плавающий затвор. Бистабильным
элементом первого типа является транзистор со структурой
металл-нитрид-оксид-полупроводник (МНОП). В основе работы МНОП-транзистора
лежит накопление заряда на границе нитридного и оксидного слоев, что является
результатом неодинаковых токов проводимости в том и другом слоях. Другой тип
бистабильных МДП-транзисторов - это транзисторы с однослойным диэлектриком,
внутри которого на небольшом расстоянии от поверхности расположен не имеющий
внешнего вывода "плавающий" затвор. Информация хранится в виде заряда
на изолированном затворе. Для стирания информации необходимо зарядить затвор -
удалить инжекционный заряд.
Статические запоминающие элементы обычно
строятся на основе триггеров. Они не требуют регенерации информации, могут
неограниченно долго хранить ее при включенном питании и обладают высоким
быстродействием. Их недостатки - достаточно большое постоянное потребление
энергии и значительное количество приборов для построение ЗУ.
В схемах на МДП-транзисторах с каналами
одного типа в режиме хранения информации практически полностью отсутствует
потребление мощности (измеряется нановаттами). Существенное потребление
мощности происходит только в режиме переключения.
Динамические запоминающие элементы.
МДП-ячейки обычно используют в качестве основы для создания динамических систем
памяти.
Информация хранится здесь в виде заряда
на конденсаторе, включенном между электродом информационного МДП-транзистора и
общей точкой схемы. В качестве такого запоминающего конденсатора используется
емкость затвора информационного транзистора и включенные параллельно ей
соответствующие паразитные емкости.
Поскольку всегда имеется некоторая
утечка заряда конденсатора, необходимо периодическое восстановление
специальными восстанавливающими импульсами. Отсюда и название - динамическая
память.
Существует несколько вариантов
построения динамической памяти. Они различаются между собой количеством
транзисторов, числом и функциональным назначением информационных шин,
последовательностью и характеристиками тактовых импульсов и, как следствие,
быстродействием, потребляемой мощностью и площадью, занимаемой на кристалле.
Запоминающие устройства на приборах с зарядовой связью
Особым классом приборов со структурой
металл-диэлектрик-полупроводник являются приборы с зарядовой связью (ПЗС),
представляющие собой совокупность взаимодействующих МДП-структур.
Взаимодействие обеспечивается общностью полупроводникового слоя и малым
расстоянием между МДП-структурами.
Действие прибора основано на хранении
заряда неосновных носителей в потенциальных ямах, создаваемых внешним
электрическим полем у поверхности полупроводника, и движения этого заряда вдоль
поверхности полупроводника при движении потенциальных ям. На этом принципе
реализуются устройства, функционирующие подобно сдвиговым регистрам.
Информация, вводимая в такие регистры в виде заряда неосновных носителей,
сдвигается под действием тактовых импульсов в соответствующих потенциальных
ямах вдоль цепочки ПЗС.
На рис. 3 изображена цепочка
МДП-конденсаторов, конструктивно реализованная в виде ПЗС-прибора.
Металлические электроды конденсаторов отделены от полупроводника слоем
диэлектрика. Если на электрод (затвор) такого МДП-конденсатора подать
напряжение соответствующего значения и полярности (отрицательное для подложки n-типа и положительное для р-типа),
Рис. 3
то основные носители уйдут в объем,
образуя под электродом область, обедненную основными носителями. Эта область -
своего рода “карман” или потенциальная яма, в которую могут “скатываться”
неосновные носители, образующие зарядовый пакет и являющиеся информационным
сигналом.
Характерной особенностью элементов на
ПЗС, является их функционирование только в нестационарном состоянии
потенциальных ям, поэтому ЗУ на них относятся к устройствам динамического типа.
Ввод информации в систему на ПЗС может
быть осуществлен с помощью электрических или оптических методов.
Существуют различные способы организации
ПЗС ЗУ. Они преследуют одну цель - создание конструкции, обеспечивающей при
последовательном характере обработки информации увеличение эффективной скорости
выборки.
Предполагается, что широкое применение
ЗУ на ПЗС найдут в качестве внешних ЗУ специализированных и универсальных ЭВМ,
а также в роли буферных устройств, включаемых между “медленной” внешней памятью
сверхбольших емкостей и быстродействующим оперативным ЗУ в универсальной ЭВМ.
Перспективной областью использования ПЗС считают также малые и средние
(емкостью до 1 Мбит) ЗУ с невысоким быстродействием, применяемые в мини-ЭВМ или
в сочетании с микропроцессором. Возможна, например, следующая архитектура
памяти ЭВМ: оперативная память на МДП-транзисторах емкостью 4К; буферная память
на ПЗС емкостью до 64 К; внешнее ЗУ на магнитных дисках или лентах.
Постоянные запоминающие устройства
Особенностью постоянных ЗУ является то,
что из них в процессе работы можно только считывать информацию, а записывать
нельзя. В зависимости от возможности изменения хранимой информации различают
постоянные ЗУ (ПЗУ) и полупостоянные, или программируемые ЗУ (ППЗУ).
Записанная первоначально в ПЗУ
информация сохраняется в течение всего периода использования и не может быть
изменена в процессе эксплуатации. Естественно, что это позволяет намного
упростить необходимые коммутационные устройства и сами элементы памяти. При
этом уменьшается также рассеиваемая мощность, поскольку отпадает необходимость
в восстановлении информации, повышаются быстродействие и надежность работы.
Основу ПЗУ составляет двухкоординатная
матрица элементов памяти (запоминающее поле). В качестве таких элементов
используются диоды Шотки, биполярные и МДП-транзисторы. Обычно на кристалле
вместе с матрицей запоминающих элементов располагаются схемы записи, дешифраторы,
усилители, входные и выходные схемы, обеспечивающие согласование ЗУ с внешними
устройствами.
Типичная схема диодного ПЗУ показана на
рис. 4. Структура - матричная: строки образуются адресными шинами, а столбцы -
разрядными. Каждая шина хранит определенный код: 0011, 0100 и т. д. Запись
осуществляется с помощью диодов, которые присоединены между адресными шинами и
теми разрядными шинами, на которых (при считывании) должна быть логическая 1;
подобные соединения отсутствуют там, где должны появиться нули. Схема работает
следующим образом. В любой момент времени только на одной выходной линии
дешифратора может быть высокий уровень напряжения. Ток с этой линии течет лишь
на те выходные линии, с которыми эта линия соединена диодом.
Рис. 4. Схема диодного постоянного ЗУ Рис.
5. Ячейки ПЗУ на биполярных (а) и МДП-транзисторах (б)
В качестве диодов чаще всего
используются транзисторы. На рис. 5. показаны типичные ячейки полупроводниковых
ПЗУ, использующих биполярные и МДП-транзисторы. Принципы построения остаются
теми же, но транзисторы могут совмещать в себе функции элемента связи и
усилительного элемента.
Если ПЗУ изготовлено таким образом, что
пользователь может электрическим (или каким-либо иным) способом записывать
информацию в память, то такое ПЗУ является программируемым. Часто используют
такую схему, где в каждой ячейке памяти предварительно установлены единицы: на
каждом пересечении матрицы имеются плавкие перемычки или их аналоги. Запись или
программирование ППЗУ производится “пережиганием” этих перемычек электрическим
током определенной величины. Иногда память в начальном состоянии во всех
ячейках содержит нули, а единицы вводятся пользователем.
Специфика работы ППЗУ заключается в том,
что содержимое памяти может быть установлено по желанию пользователя, а позднее
эту информацию можно стереть и записать новую. Разработаны типы ППЗУ со
стираемой информацией, позволяющие неоднократно записывать требуемую
информацию. Стирание можно производить электрическим током или ультрафиолетовым
излучением. Как правило, ППЗУ выдерживают более тысячи циклов записи-стирания
до возникновения необратимых изменений пороговых напряжений и проводимости
канала запоминающих элементов.
При использовании для создания
программируемой памяти бистабильных МДП-транзисторов матрица запоминающих
элементов в исходном состоянии содержит транзисторы с одинаковыми пороговыми
напряжениями. Запись информации осуществляется в результате инжекции носителей
заряда в слой подзатворного диэлектрика, что приводит к изменению порогового
напряжения заданных транзисторов.
В случае бистабильных МДП-транзисторов с
плавающим затвором программирование ячейки осуществляется путем заряда
плавающего затвора. Прикладывая к затвору достаточно большое напряжение,
вызывают лавинный пробой в диэлектрике, в результате чего в нем накапливаются
электроны. Соответственно меняется пороговое напряжение. Заряд электронов
сохраняется в течение длительного времени, и записанную информацию можно
воспроизводить многократно, обследуя (в процессе коммутации) проводимость между
истоком и стоком. Стирание записи (нейтрализация заряда) производится при
облучении матрицы ультрафиолетовым (или рентгеновским) излучением.
В ППЗУ на МНОП-транзисторах введение и
выведение зарядов в диэлектрик осуществляется с помощью коротких высоковольтных
импульсов разной полярности, подаваемых на затвор.
Проблема миниатюризации в устройствах полупроводниковой памяти
Современные ИС с высокой степенью
интеграции представляют собой ансамбль огромного числа элементов
(транзисторов), каждый из которых состоит из микроскопических областей
полупроводника с вполне определенными свойствами. Все эти микроскопические
области эмиттеров, баз, коллекторов, истоков, стоков, каналов, межсоединений и
т. п. можно рассматривать как статические неоднородности в непрерывной среде
кристалла, созданные с помощью технологических процессов. Обработка информации
осуществляется ее продвижением из области одной статической неоднородности в
другую, при этом происходит непрерывное изменение таких физических величин, как
напряженность электрического поля, потенциалы, концентрации носителей и т. д.
Размеры областей статических неоднородностей весьма малы, а с возрастанием
степени интеграции они непрерывно уменьшаются.
В истории микроэлектроники прогресс в
технологии выражался в постепенном уменьшении размеров транзисторов от 25-50
мкм до 2-3 мкм (для серийно изготовляемых схем). Расчеты показывают, что
уменьшение размеров элементов ИС неизбежно приводит к целому ряду ограничений.
Проблема межсоединений. Плотность
размещения транзисторов в ИС определяется геометрическими (топологическими) и
физическими факторами. Топологическая задача при создании ИС заключается в
размещении транзисторов и соединений между ними на части поверхности пластины.
При большом числе транзисторов в ИС сетка соединений необычайно сложна и,
очевидно, будет занимать значительную часть площади поверхности пластины (до
85% для БИС).
Показано, что даже при оптимальном
размещении и пренебрежимо малых размерах элементов существует предел для
повышения степени интеграции N БИС и СБИС, определяемый монтажной площадью
межэлементных связей на кристалле: Nmax=(L/hт)5/6, где L=(L1+L2)/2= sqrt(Sкр) -
усредненный линейный размер; L1+L2 - периметр кристалла; Sкр -
площадь кристалла; hт -
шаг трассировки.
Один из путей уменьшения занимаемой
межсоединениями площади кристалла - это переход на многоуровневую разводку,
например 12-уровневую вместо стандартной трехуровневой (внутриячеечные
соединения, межъячеечные соединения, питание). Подсчитано, что уже при 20—25
тыс. вентилей на кристалле и 12-уровневой разводке полезно используемая площадь
будет составлять около 50%. Однако надежность таких схем резко падает из-за
неудовлетворительных контактов между уровнями, наличия ложных контактов через
случайные поры в тонких слоях диэлектрика. Особенно высокие требования
предъявляются к металлическим линиям и к межуровневому диэлектрику. Толщина
металлических и особенно диэлектрических слоев не должна быть меньше 0,05 мкм.
Проблема межсоединений не сводится
только к размеру занимаемой ими площади кристалла. Уменьшение топологических
размеров существенно уменьшает сечение токоведущих линий и увеличивает
отношение их длины к сечению. Следствием этого является увеличение
сопротивления соединительных проводников и другие нежелательные явления. В
частности, возрастают напряженности электрического поля, и приходится считаться
с возможностью объемного или поверхностного пробоя диэлектрика.
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5
|