Реферат: Расчетно-Графическая работа ППД КД213А
Реферат: Расчетно-Графическая работа ППД КД213А
Министерство высшего образования
РФ.
Уральский государственный
университет – УПИ
Кафедра “Технология и
средства связи”
Расчетно-графическая
работа
Полупроводниковый диод
Преподаватель: Болтаев А.В.
Студент: Черепанов К.А.
Группа: Р-207
Екатеринбург
2000
В данной работе в табличной форме приводятся
паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные)
полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ)
при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C;
расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная,
высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.
Содержание
1.
Краткая характеристика диода............................................ 4
2.
Паспортные параметры:....................................................... 4
2.1.
Электрические.......................................................... 4
2.2.
Предельные эксплуатационные............................... 4
3.
Вольт-амперная характеристика.......................................... 5
3.1.
При комнатной температуре.................................... 5
3.2.
При повышенной...................................................... 6
4.
Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6
5.
Определение величины TKUпрям TKIобр.......................... 6
6.
Определение сопротивления базы rб................................... 9
6.1.
Приближенное.......................................................... 9
6.2.
Точное....................................................................... 9
7.
Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема.. 10
8.
Библиографический список................................................ 10
9.
Затраты времени на:........................................................... 10
9.1.
Информационный поиск........................................ 10
9.2.
Расчеты................................................................... 10
9.3.
Оформление............................................................ 10
Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования
переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом
корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся
на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Масса диода не более 4 г.
Рисунок 1
Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В
Постоянный обратный ток при, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА
Время
обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А,
и Iобр, и=0,1А:
КД213А…………………………………………………………...………………………300нс
Емкость диода, не более:
при
Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ
при
Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ
Постоянное (импульсное)
обратное напряжение……………………..………200В
Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ……..…..………10А
Импульсный прямой ток при tи≤ 10мс, Q≥1000………………...…………100А
Импульсный обратный ток при
температуре корпуса от 213 до 358 К при tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А
Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц
Тепловое сопротивление
переход-среда:
……………………………….………………………………70К/Вт
переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт
Температура перехода:
……………………………………………………...+140°С
Температура
окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С
Предельные значения
параметров при Т=25˚С |
Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С |
Значения
параметров при Т= 25˚С |
R т п-к, ˚С/Вт |
|
I пр, ср max
А
|
|
Uобр, и, п мах, В |
Uобр мах, В |
Iпрг (Iпр, уд)мах, А |
|
fмах, кГц |
Uпр (Uпр, ср) [Uпр,
и], В |
|
tвос, обр (tвос, обр при Tп мах), мкс |
|
I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах],
мА |
|
|
Т˚С |
tи(tпр), мс |
Iпр (Iпр, ср) [Iпр,
и], А |
Iпр, и, А |
Uпр, и, В |
|
|
10 |
85 |
200 |
200 |
100 |
10 |
100 |
140 |
1 |
10 |
0,3 |
1 |
20 |
0,2 |
1,5 |
|
Вольт-амперная характеристика
|
|
|
Зависимость R= от Uпр |
|
Uпр |
0,6 |
0,7 |
0,8 |
0,9 |
1 |
1,1 |
R=
|
0,3 |
0,2333333 |
0,16 |
0,1125 |
0,090909 |
0,073333 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Зависимость r~ от Uпр |
Uпр |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,4 |
0,5 |
r~ |
0,1 |
0,0666667 |
0,05 |
0,044444 |
0,038462 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Зависимость R= от Uобр |
|
Uобр |
50 |
100 |
150 |
200 |
250 |
300 |
R=
|
3571429 |
6666666,7 |
8333333 |
4878049 |
2777778 |
1304348 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Зависимость r~ от Uобр |
Uобр
|
50 |
100 |
150 |
200 |
250 |
r~ |
50000000 |
25000000 |
5555556 |
2631579 |
1157407 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Зависимость Cдиф от Uпр |
|
Uпр
|
0,6 |
0,7 |
0,8 |
0,9 |
1 |
1,1 |
Сдиф |
0,08 |
0,12 |
0,2 |
0,32 |
0,44 |
0,6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Зависимост Сб от Uобр
Определение величины TKUпрям TKIобр
1.
Диоды и их зарубежные
аналоги: Справочник. В 3-х
томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.
2.
Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под
ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил.
3.
Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л.
Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып.
1158)
4.
Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник
/ А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н.
Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.
5.
Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В.
2000.-50л.
[1]
Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США
|