МЕНЮ


Фестивали и конкурсы
Семинары
Издания
О МОДНТ
Приглашения
Поздравляем

НАУЧНЫЕ РАБОТЫ


  • Инновационный менеджмент
  • Инвестиции
  • ИГП
  • Земельное право
  • Журналистика
  • Жилищное право
  • Радиоэлектроника
  • Психология
  • Программирование и комп-ры
  • Предпринимательство
  • Право
  • Политология
  • Полиграфия
  • Педагогика
  • Оккультизм и уфология
  • Начертательная геометрия
  • Бухучет управленчучет
  • Биология
  • Бизнес-план
  • Безопасность жизнедеятельности
  • Банковское дело
  • АХД экпред финансы предприятий
  • Аудит
  • Ветеринария
  • Валютные отношения
  • Бухгалтерский учет и аудит
  • Ботаника и сельское хозяйство
  • Биржевое дело
  • Банковское дело
  • Астрономия
  • Архитектура
  • Арбитражный процесс
  • Безопасность жизнедеятельности
  • Административное право
  • Авиация и космонавтика
  • Кулинария
  • Наука и техника
  • Криминология
  • Криминалистика
  • Косметология
  • Коммуникации и связь
  • Кибернетика
  • Исторические личности
  • Информатика
  • Инвестиции
  • по Зоология
  • Журналистика
  • Карта сайта
  • Электролучевая трубка с магнитной отклоняющей системой

    Электролучевая трубка с магнитной отклоняющей системой

    План

    ЭЛТ с магнитной отклоняющей системой. 3

    Статические и физические параметры транзистора. 6

    Физические параметры транзистора. 6

    1. Токи в транзисторе. 6

    2. Обратные токи переходов. 6

    3. Коэффициенты передачи тока. 7

    Статические параметры транзистора. 8

    ЭЛТ с магнитной отклоняющей системой.

    Электронно-лучевыми приборами называют такие электронные

    электровакуумные приборы, в которых используется поток электронов,

    сконцентрированный в форме луча или пучка лучей. Электронно-лучевой прибор,

    имеющий форму трубки, обычно называют электронно-лучевой трубкой.

    Управление пространственным положением луча осуществляется с помощью

    электрических (электростатическая отклоняющая система) и магнитных

    (магнитная отклоняющая система) полей, а управление плотностью тока – с

    помощью электрических полей. Электронно-лучевые приборы используются для

    получения видимого изображения электрических сигналов, а также для

    запоминания (хранения) сигналов.

    Отклоняющая система служит для управления положением луча в

    пространстве. В трубках с магнитным управлением отклоняющая система состоит

    из двух пар отклоняющих катушек.

    Магнитная отклоняющая система обычно содержит две пары катушек,

    надеваемых на горловину трубки и образующих магнитные поля во взаимно

    перпендикулярных направлениях. Рассмотрим отклонение электрона магнитным

    полем одной пары катушек, считая, что поле ограничено диаметром катушки и в

    этом пространстве однородно. На рис.1 силовые линии магнитного поля

    изображены уходящими от зрителя перпендикулярно плоскости чертежа. Электрон

    с начальной скоростью V0 движется в магнитном поле, вектор индукции B

    которого нормален к вектору скорости V0, по окружности с радиусом

    По выходе из магнитного поля электрон продолжает движение по

    касательной к его криволинейной траектории в точке выхода из поля. Он

    отклонится от оси трубки на некоторую величину z = L tg(. При малых углах (

    ( tg (; z ( L(.

    Величина центрального угла ( = s/r ( l1/r, где s – кривая, по которой

    движется электрон в поле В. Подставляя сюда значение r, получаем:

    Таким образом, отклонение электрона равно:

    Выражая скорость V0 электрона через напряжение на аноде, получаем:

    Учитывая, что индукция магнитного поля пропорциональна числу ампер-

    витков wI, можно записать:

    Конструкция отклоняющих катушек. Отклоняющие катушки с

    ферромагнитными сердечниками позволяют увеличить плотность потока магнитных

    силовых линий в необходимом пространстве. Катушки с ферромагнитными

    сердечниками применяются только при низкочастотных отклоняющих сигналах,

    так как с увеличением частоты отклоняющего напряжения возрастают потери в

    сердечнике. В телевизионных и радиолокационных электронно-лучевых трубках

    обычно применяются отклоняющие катушки без сердечника. Стремясь получить

    более однородное магнитное поле, края катушки отгибают, а саму катушку

    изгибают по форме горловины трубки. Витки в катушке распределяют

    неравномерно: Число витков на краях обычно в 2 – 3 раза больше, чем в

    середине. Для уменьшения поля рассеяния катушки без сердечника обычно

    заключаются в стальной экран.

    Достоинства и недостатки электростатической и магнитной систем

    отклонения. Отклонение луча магнитным полем в меньшей степени зависит от

    скорости электрона, чем для электростатической системы отклонения. Поэтому

    магнитная отклоняющая система находит применение в трубках с высоким

    анодным потенциалом, необходимым для получения большой яркости свечения

    экрана.

    К недостаткам магнитных отклоняющих систем следует отнести

    невозможность их использования при отклоняющих напряжениях с частотой более

    10 – 20 кГц, в то время как обычные трубки с электростатическим отклонением

    имеют верхний частотный предел порядка десятков мегагерц и больше. Кроме

    того, потребление магнитными отклоняющими катушками значительного тока

    требует применения мощных источников питания.

    Достоинством магнитной отклоняющей системы является ее внешнее

    относительно электронно-лучевой трубки расположение, что позволяет

    применять вращающиеся вокруг оси трубки отклоняющие системы.

    Статические и физические параметры транзистора.

    Транзистором называют электропреобразовательный полупроводниковый

    прибор с одним или несколькими электрическими переходами, пригодный для

    усиления мощности, имеющий три или более выводов.

    Физические параметры транзистора.

    Токи в транзисторе определяются рядом физических процессов в

    электронно-дырочных переходах и в объеме базы, характеризуемых

    соответствующими параметрами. Физические параметры играют важную роль при

    анализе работы транзистора на переменном токе с сигналами малых амплитуд.

    Большинство этих параметров являются дифференциальными величинами и

    используются в качестве так называемых малосигнальных параметров

    транзистора.

    Рассмотрим основные процессы и физические параметры транзистора.

    Токи в транзисторе.

    В активном режиме работы транзистора дырки, инжектируемые из

    эмиттера, движутся затем в базе и втягиваются полем коллекторного перехода,

    образуя коллекторный ток IK. В следствие рекомбинации в базе и других

    причин IK < IЭ. На основании закона Кирхгофа для токов в цепях электродов

    транзистора можно записать: IЭ = IK + IБ.

    В активном режиме к эмиттерному переходу приложено прямое напряжение

    и через переход течет ток IЭ, который содержит составляющие IЭр и IЭп –

    токов инжекции дырок из эмиттера в базу и электронов из базы в эмиттер,

    составляющую IЭr – тока рекомбинации в эмиттерном переходе, а также ток

    утечки IЭу: IЭ = IЭр + IЭп + IЭr + IЭу.

    Токами IЭп, IЭr, IЭу пренебрежем: IЭ ( IЭр.

    Ток коллектора – это ток через переход, к которому в активном режиме

    приложено обратное напряжение. Помимо обратного тока через коллекторный

    переход протекает ток экстракции дырок из базы в коллектор равный дырочной

    составляющей эмиттерного тока за вычетом тока, обусловленного рекомбинацией

    дырок в базе.

    Ток базы может быть определен как разность токов эмиттера и

    коллектора.

    Обратные токи переходов.

    Обратным током коллектора (или эмиттера) называют ток при заданном

    обратном напряжении на коллекторном (или эмиттерном) переходе при условии,

    что цепь другого перехода разомкнута: IЭ = 0 (или IК = 0)

    Поскольку обратный ток коллектора, определяемый процессами генерации

    носителей в коллекторе, базе и коллекторном переходе, представляет собой не

    управляемую процессами в эмиттерном переходе часть коллекторного тока. Ток

    IКБО играет важную толь в работе транзистора в активном режиме, когда

    коллекторный переход находится под обратным напряжением.

    Соответственно обратный ток эмиттера IЭБО представляет собой

    составляющую эмиттерного тока, значения которого определяется процессами

    генерации носителей в эмиттере, базе и в области эмиттерного перехода. Этот

    ток имеет важное значение при работе транзистора в инверсном режиме

    (эмиттерный переход включен в обратном направлении).

    Помимо токов IКБО и IЭБО, измеряемых в режиме холостого хода в цепи

    эмиттера или коллектора соответственно, в транзисторе различают также

    обратные токи IКБК и IЭБК.

    Ток IКБК, текущий через коллекторный переход при обратном напряжении

    на этом переходе, измеряется в условиях короткого замыкания цепи эмиттер –

    база. Аналогично ток IЭБК – это ток в эмиттерном переходе при обратном

    напряжении на этом переходе и при условии, что цепь коллектор – база

    замкнута накоротко.

    Коэффициенты передачи тока.

    С учетом понятия обратного тока коллектора ток IК для активного

    режима работы следует представить как сумму двух составляющих: тока IКБО и

    части эмиттерного тока, который определяется потоком носителей,

    инжектированных в базу и дошедших до коллекторного перехода.

    Следовательно,

    IК = ( IЭ + IКБО.

    Величина

    называется коэффициентом эмиттерного тока. Обычно ( < 1. В инверсном

    режиме (коллекторный переход включен в прямом, а эмиттерный – в обратном

    направлении) ток эмиттера равен:

    IЭ = (1IК + IЭБО.

    Величина

    называется инверсным коэффициентом передачи коллекторного тока. Как

    правило, (1 < (.

    С помощью коэффициентов ( и (1 можно установить связь между обратными

    токами:

    IКБО = IКБК(1 – ((1);

    IЭБО = IЭБК(1 – ((1);

    В транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, входным током

    служит ток базы IБ, а выходным, как и в схеме с ОБ, то коллектора IК. Для

    схемы ОЭ, широко применяемой в радиотехнических устройствах на

    транзисторах, используется коэффициент передачи базового тока (. Выражение

    для ( можно получить, решая его относительно тока IК:

    Запишем это выражение в виде

    IК = ( IБ + IКЭО.

    Где

    и

    - обратный ток коллекторного перехода в схеме ОЭ при IБ = 0.

    Выражение для коэффициента передачи базового тока ( легко получить

    используя эти соотношения:

    Статические параметры транзистора.

    Статические параметры транзистора характеризуют свойства прибора в

    статическом режиме, т.е. в том случае, когда к его электродам подключены

    лишь источники постоянных напряжений.

    Система статических параметров транзистора выбирается таким образом,

    чтобы с помощью минимального числа этих параметров можно было бы наиболее

    полно отобразить особенности статических характеристик транзистора в

    различных режимах. Можно выделить статические параметры режима отсечки,

    активного режима и режима насыщения. К статическим параметрам относятся

    также величины, отображающие характеристики в близи пробоя.

    Статические параметры в активном режиме.

    Статическим параметром для этого режима служит статический

    коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:

    [pic]

    Коэффициент h21Э является интегральным коэффициентом передачи

    базового тока (, однако, статический коэффициент определяет как [pic]

    пренебрегая током ІКБО, что вполне допустимо при условии, что ІБ ( 20ІКБО.

    В качестве статического параметра активного режима используется также

    статическая крутизна прямой передачи в схеме ОЭ:

    [pic]

    Статические параметры в режиме отсечки.

    В качестве этих параметров используются обратные токи в транзисторе.

    Статические параметры режима отсечки в значительной мере определяют

    температурную нестабильность работы транзистора и обязательно используются

    во всех расчетах схем на транзисторах. К числу этих параметров относятся

    следующие токи:

    - обратный ток коллектора ІКБО – это ток через коллекторный переход

    при заданном обратном напряжении коллектор – база и разомкнутом

    выводе эмиттера;

    - обратный ток эмиттера ІЭБО – это ток через эмиттерный переход при

    заданном обратном напряжении эмиттер – база и разомкнутом выводе

    коллектора;

    - обратный ток коллектора ІКБК – это ток через коллекторный переход

    при заданном обратном напряжении коллектор – база и при замкнутых

    накоротко выводах эмиттера и базы;

    - обратный ток ІЭБК – это ток через эмиттерный переход при заданном

    обратном напряжении эмиттер – база и при замкнутых накоротко

    выводах коллектора и базы;

    - обратный ток коллектор – эмиттер – ток в цепи коллектор – эмиттер

    при заданном обратном напряжении UКЭ. Этот ток обозначается: ІКЭО

    – при разомкнутом выводе базы; ІКЭК – при коротко замкнутых

    выводах эмиттера и базы; ІКЭR – при заданном сопротивлении в цепи

    базы – эмиттер; ІКЭX – при заданном обратном напряжении UБЭ.

    Статические параметры в режиме насыщения.

    В качестве параметров в этом режиме используются величины напряжений

    между электродами транзистора, включенного по схеме ОЭ.

    - Напряжение насыщение коллектор – эмиттер UКЭ нас – это напряжение

    между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при

    заданных токах базы и коллектора;

    - напряжение насыщение база – эмиттер UБЭ нас – это напряжение между

    выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах

    базы и коллектора.

    При измерениях UКЭ нас и UБЭ нас ток коллектора задается чаще всего

    равным номинальному значению, а ток базы задается в соответствии с

    соотношением ІБ = КнасІ’Б, где Кнас коэффициент насыщения; І’Б ток на

    границе насыщения.

    Статические параметры в области пробоя.

    Основными параметрами в этом режиме служат:

    - пробивное напряжение коллектор – база UКБО проб – это пробивное

    напряжение между выводами коллектора и базы при заданном обратном

    токе коллектора ІКБО и токе ІЭ = 0.

    - пробивное напряжение коллектор – эмиттер – пробивное напряжение

    между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе ІК.

    Напряжение UКЭО проб определяется соотношением

    [pic]

    -----------------------

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    (

    (

    r

    Z

    X

    L

    l1

    l2

    V0

    01

    Рис.1. Траектория движения электронов в магнитной отклоняющей системе.

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    [pic]


    Приглашения

    09.12.2013 - 16.12.2013

    Международный конкурс хореографического искусства в рамках Международного фестиваля искусств «РОЖДЕСТВЕНСКАЯ АНДОРРА»

    09.12.2013 - 16.12.2013

    Международный конкурс хорового искусства в АНДОРРЕ «РОЖДЕСТВЕНСКАЯ АНДОРРА»




    Copyright © 2012 г.
    При использовании материалов - ссылка на сайт обязательна.