Интегральная микросхема КР1533ТВ6
|любой разрядности. |
|Делители частоты (далее просто делители) отличаются от счетчиков тем, что в них |
|используется только один выход - выход последнего триггера. Таким образом, |
|n-разрядный двоичный счетчик всегда можно рассматривать как делитель на 2^n. |
|Часто необходимо осуществить деление частоты на некоторое целое число т, не |
|являющееся степенью двойки, в таких случаях обычно используют n-разрядный |
|двоичный счетчик (2^n >m) и вводом дополнительных логических связей обеспечивают|
|пропуск 2^n - m состояний в процессе счета. Этого можно достигнуть, например, |
|принудительной установкой счетчика в 0 при достижении состояния m или |
|принудительной установкой счетчика в состояние 2^n - m при его переполнении. |
|Возможны и другие способы. Например, наиболее часто применяемая декада (счетчик |
|с коэффициентом пересчета 10) нa JK-триггерах К155ТВ1 строится по схеме рис. 18 |
|(а). При подаче импульсов с 1-го по 8-й декада работает как обычный двоичный |
|счетчик импульсов. К моменту подачи восьмого импульса на двух входах J |
|четвертого |
|[pic] |
| |
|триггера формируется уровень лог. 1, восьмым импульсом этот триггер |
|переключается в единичное состояние и уровень лог. 0 с его инверсного |
| |
|выхода, подаваемый на вход J второго триггера, запрещает его переключение в |
|единичное состояние под действием десятого импульса. Десятый импульс |
|восстанавливает нулевое состояние четвертого триггера, и цикл работы делителя |
|повторяется. |
|Декада на рис. 18 (а) работает в весовом коде 1-2-4-8. Временная диаграмма ее |
|работы приведена на рис. 18 (б). |
|Декада на D-триггерах, схема которой приведена на рис. 19 (а), работает в |
|невесовом коде. Временная диаграмма ее работы приведена на рис. 19 (б). |
|[pic] |
| |
|Построение счетчиков с коэффициентом пересчета 10 (декад) на триггерах ТВ6, ТВ9,|
|ТВ10 отличается от построения на триггерах К155ТВ1, так как у триггеров |
|указанных микросхем по одному входу J и К. |
|На рис. 20 приведена схема декады, работающей в весовом коде 1-2-4-8. Для |
|увеличения числа входов J до необходимого использован один элемент микросхемы |
|К555ЛИ1. На рис. 21 (а) приведена схема декады, выходной код которой не является|
|весовым. Работа декады проиллюстрирована на диаграмме рис. 21 (б). Элемент DD3 |
|не является обязательным, он преобразует код работы декады в весовой код 1-2-4-8|
|(выходы А, В, С, Е), что может быть необходимым для подключения к декаде |
|дешифратора или преобразователя кода для семисегментного индикатора. |
| |
|[pic] |
| |
|[pic] |
| |
|Декада, схема которой приведена на рис. 22 (а), также работает в невесовом коде.|
|Делитель на пять DD1.2, DD2.1, DD2.2 этой декады выполнен на основе сдвигающего |
|регистра с перекрестными связями так же, как и декады на D-триггерах рис. 19 |
|(а). Коэффициент деления шесть такого регистра уменьшен до пяти за счет |
|подключения входа R триггера DD2.2 к прямому выходу триггера DD2.1. Временная |
|диаграмма работы приведена на рис. 22 (б). |
| |
|[pic] |
|[pic] |
| |
|Микросхема ТР2 (см. рис. 16) - четыре RS-триггера. Два триггера микросхемы |
|имеют по одному входу R и S, два других - по одному входу R и по два входа S. |
|Сброс и установка триггеров в 1 происходят при подаче лог. 0 соответственно на |
|входы R и S. Входы S тех триггеров, гдеих два, собраны как логический элемент |
|ИЛИ для сигналов лог. 0, поэтому для установки триггеров в состояние 1 |
|достаточно подать лог. 0 на один из входов S, состояние второго при этом не |
|играет роли. Если на входы R и S триггера подать лог. 0, на выходе триггера - |
|лог. 1. Состояние триггера после снятия сигналов лог. 0 со входов R и S будет |
|определяться тем, с какого из входов лог. 0 будет снят последним. |
|Микросхему ТР2 можно использовать для подавления дребезга контактов (рис. 23) и |
|в других случаях. |
| |
|3. Описание схемы |
| |
| |
|Микросхема КР1533ТВ6 представляет собой два JK-триггера, срабатывающих по |
|отрицательному фронту тактового сигнала, со входами сброса. Низкий уровень |
|напряжения на входе сброса R устанавливает прямой выход Q соответствующего |
|триггера в состояние низкого уровня напряжения вне зависимости от логического |
|состояния на других входах. |
| |
|При наличии на входе сброса напряжения высокого уровня для правильной работы |
|триггера требуется предварительная установка информации по входам J и К |
|относительно отрицательного фронта тактового сигнала, а также |
|соответствующая выдержка информации после подачи отрицательного фронта |
|синхросигнала С. При подаче на входы J и К напряжения высокого уровня триггер |
|будет работать в качестве счетного. |
| |
|Принципиальные отличия серии КР1533 |
| |
|Маломощные быстродействующие цифровые ИМС серии КР1533 предназначены для |
|организации высокоскоростного обмена и обработки цифровой информации, временного|
|и электрического согласования сигналов в вычислительных системах. Микросхемы по |
|сравнению с известными сериями логических ТТЛ микросхем обладают минимальным |
|значением произведения быстродействия на рассеиваемую мощность. Аналог- серия |
|SN74ALS фирмы Texas Instruments. |
|Микросхемы изготавливаются по усовершенствованной эпитоксиально – планарной |
|технологии с диодами Шоттки и окисной изоляцией, одно- и двухуровневой |
|металлизированной разводкой на основе PtSi-TiW0AlSi. |
|Конструктивно микросхемы серии КР1533 выполнены в 14-, 16-, 20-, и 24- выводных |
|стандартных пластмассовых корпусах типа 201, 14-1, 238.16-1, 2140.20-8, |
|2142.42-2. |
|Технические характеристики: |
|Стандартные ТТЛ входные и выходные уровни сигналов. |
|Напряжение питания 5,0 В (10%. |
|Задержка на вентиль 4 нс. |
|Мощность потребления на вентиль 1мВт. |
|Тактовая частота до 70 мГц. |
|Выходной ток нагрузки низкого уровня до 24 мА. |
|Выходной ток нагрузки высокого уровня - 15 мА. |
|Гарантированные статические и динамические характеристики при емкости нагрузки |
|50 пФ в диапазоне температур от –10о С до +70о С и напряжений питания 5 В (10%.|
| |
|Устойчивость к статическому электричеству до 200 В. |
| |
| |
|Микросхема размещена в корпусе 201.14-1 и по основным электрическим параметрам |
|превосходит аналог фирмы TI. |
| |
| |
| |
|Для справки: |
|— емкость входа — не более 5 пФ по выводам 01, 04, 08, 11 и не более 6 пф по |
|выводам 09, 10, 12, 13. |
|— допускается подключение к выходам емкости не более 200 пф, при этом |
|нормы на динамические параметры не регламентируются; |
|— эксплуатация микросхем в режиме измерения iq, uqjjj не допускается; |
|— допустимое значение статического потенциала — 200 В; |
|— допускается кратковременное воздействие (в течение не более |
|5 мс) напряжения питания до 7 В; |
|— собственные резонансные частоты микросхем до 20 кГц отсутствуют; |
|— максимальное время фронта нарастания и время фронта спада входного импульса — |
|не более 1 мкс, а по входу синхронизации не более 50 не. |
| |
|Параметры временной диаграммы работы: |
|— длительность импульса по выводам 09, 12 (С) — не менее 20 не, по выводам 10, |
|13 (R) — не менее 25 не; |
|— время опережения установки информации по выводам 01, 04, 08, 10, 11. 13 (J, К,|
|I — не активный фронт) относительно фронта спада на выводе 09, 12 (С) — не менее|
|20 не; |
|— время удержания информации на выводах 01, 04, 08, 1! (J, К) относительно спада|
|на выводе 09, 12 (С) — не менее 0 не; |
|— максимальная тактовая частота на выводах 09, 12 (С) — не более 34 МГц. |
| |
|Дополнительная информация: |
|— технические условия бК0.348.80бт35ТУ. |
| |
| |
4. Графическая часть
4.1 Схема
Условное графическое обозначение
[pic]Таблица назначения выводов
|Номер вывода |Обозначение |Назначение |
|01 |J1 |Вход управления J триггера Т1 |
|02 |[pic] |Выход инверсный триггера Т1 |
|03 |Q1 |Выход прямой триггера Т1 |
|04 |K1 |Вход управляющий К триггера Т1 |
|05 |Q2 |Выход прямой триггера Т2 |
|06 |[pic] |Выход инверсный триггера Т2 |
|07 |0V |Общий вывод |
13 777-Ч-2001 2202 КП-ГЧ
Изм Лист №Документа Подпись Дата .
Разраб. . .
Проверил .
Лист
Листов
УКСИВТ,
3А-1
|09 |C2 |Вход тактовый |
|10 |[pic] |Вход установки нуля триггера Т1 |
|11 |K2 |Вход управляющий К триггера Т2 |
|12 |C1 |Вход тактовый |
|13 |[pic] |Вход установки нуля триггера Т2 |
|14 |U |Вывод питания от источника питания |
Расположение выводов
[pic]
13 777-Ч-2001 2202 КП-ГЧ
Изм Лист №Документа Подпись Дата .
Разраб. .
Проверил .
Лист
Листов
УКСИВТ,
3А-1
Функциональная схема
[pic]
4.2 Общий вид
Таблица истинности
|Входы |Выход |
|[pic] |C |J |K |Q |[pic] |
|0 |X |X |X |0 |1 |
|1 |1/0 |0 |1 |0 |1 |
|1 |1/0 |1 |1 |СЧЕТНЫЙ РЕЖИМ |
|1 |1/0 |0 |0 |Q0 |[pic] |
|1 |1/0 |1 |0 |1 |0 |
|1 |1 |X |X |Q0 |[pic] |
Динамические параметры
|Обозна|Наименование |Норма |Единиц|Режим |
|чение |параметра | |а |измерения |
| | | |измере| |
| | | |ния | |
| | |не |не | | |
| | |менее |более | | |
|tpLH |Время задержки | |20 |НС |исс=5,ОЕ+10% |
| |распространения | | | |rL=o,5кom |
| |сигнала при | | | | |
| |выключении | | | | |
| | | | | |t=2nc |
|tpHL |Время задержки | |15 |НС |Urr=5,OB+-10%|
| |распространения | | | |RL=0.5кОм |
| |сигнала при | | | |СL=50пФ t=2Hc|
| |включении | | | | |
13 777-Ч-2001 2202 КП-ГЧ
Изм Лист №Документа Подпись Дата .
Разраб. . .
Проверил .
Лист
Листов
УКСИВТ,
3А-1
Статические параметры
|Обознач|Наименование |Норма |Единица |Режим измерения|
|ение |параметра | | | |
| | |не |не |измерени| |
| | |менее |более |я | |
|Uoh |Выходное напряжение |UCC-2 | |В |Ucc=4,5В |
| |высокого уровня | | | |Uih~2,OB |
| | | | | |UIL=0,8В |
| | | | | |1лн=-0,4мА |
| | | | | |IOL=-0.4MA |
|uol |Выходное напряжение | |0,4 0,5|В В |Ucc=4,58 |
| |низкого уровня | | | |UIH=2,OB |
| | | | | |UIL=0,8В |
| | | | | |IOL=4MA IOL=8мА|
| | | | | | |
|IIH |Входной ток высокого| |20 40 |мкА |UCC=5,5B |
| |уровня - по выводам | | | |UIH=2,7B |
| |01,04, 03. 11 - по | | | | |
| |выводам 09, 10, 12, | | | | |
| |13 | | | | |
|iil |Входной ток низкого | ||-0,2| |мА |UCC=5,5B |
| |уоовня - по выводам | ||-0,4| | |UTL=0.4B |
| |01, 04, С 3,11 - по | | | | |
| |выводам 09, 10, 12, | | | | |
| |13 | | | | |
|Io |Выходной ток |I-30I ||-112| |мА |UCC=5,5B |
| | | | | |U0=2.25B |
|ucdi |Прямое падение | |1-1,51 |В |Uгр=4,53, |
| |напряжения на | | | |IL=-18мА |
| |антизвонном диоде | | | | |
|Ucc |Ток потребления | |4,5 |мА |UCC=5,5B |
13 777-Ч-2001 2202 КП-ГЧ
Изм Лист №Документа Подпись Дата .
Разраб. .
Проверил .
Лист
Листов
УКСИВТ,
3А-1
Функциональный ряд ИС ТТЛ КР1533ТВ*
| |
|Более высокой разрешающей способностью обладает электронно-лучевая литография. |
|При прямой экспозиции полупроводниковой пластины в электронном луче можно |
|создавать полоски в 20 раз более узкие, чем при фотолитографии, тем самым |
|уменьшая размеры элементов до 0,1 мкм.' |
|Диффузия примесей применяется для легирования пластины с целью формирования р- и|
|n-слоев, образующих эмиттер, базу, коллектор биполярных транзисторов, сток, |
|исток, канал униполярных транзисторов, резистивные слои, а также изолирующие |
|р-n-переходы. Для диффузии примесей пластины нагреваются до 800—1250 °С и над ее|
|поверхностью пропускается газ, содержащий примесь. Примесь диффундирует в глубь |
|пластины через окна, вскрытые в слое ЗЮд. Глубину залегания диффузионного слоя и|
|его сопротивление регулируют путем изменения режима диффузии (температуры и |
|продолжительности диффузии). |
|Ионное легирование. Вместо диффузии для имплантации примесей в полупроводник |
|применяют 'ионное легирование. Для этого ионы примесей ускоряют в ускорителе до |
|80—300 кэВ, а затем их направляют на подложку, защищая при помощи маски те |
|участки, которые не должны подвергаться легированию. Введение примесей в широком|
|диапазоне концентраций и возможность осуществления более точного контроля |
|дозировок примесей позволяют изменять параметры элементов в требуемых пределах. |
|Поэтому вместо диффузии все больше применяют ионное легирование, хотя ее |
|внедрение связано с переоснащением производства ИМС дорогостоящим оборудованием.|
| |
|В производстве полупроводниковых ИС и многих дискретных приборов необходимо на |
|подложке создавать однородно легированные по толщине слои одноименного ей полу |
|проводника, а в некоторых случаях – и полупроводника другого вида, с иной |
|шириной запрещенной зоны. В частности, это необходимо для расширения |
|функциональных возможностей схем, улучшения их параметров путем, например, |
|формирования скрытых под такими слоями участков высокой проводимости (скрытых |
|слоев). |
|Термин «эпитаксия», впервые предложенный Руайе, отражает в настоящее время |
|процесс ориентированного нарастания, в результате которого образующаяся новая |
|фаза закономерно продолжает кристаллическую решетку имеющейся фазы – подложки с |
|образованием некоторого переходного слоя, способствующего когерентному срастанию|
|двух решеток по плоскости подложки со сходной плотностью упаковки атомов. По |
|окончании формирования переходного слоя эпитаксиальный процесс продолжается с |
|образованием слоя требуемой толщины. |
|Эпитаксиальный слой (ЭС) – это монокристаллический слой новой фазы, выросший в |
|результате эпитаксии на поверхности монокристаллической подложки строго |
|определенным образом, который имеет прочную кристаллохимическую связь с |
|подложкой и не может быть отделен от нее без разрушения слоя или поверхности |
|подложки. ЭС практически продолжает кристаллическую решетку подложки и |
|ориентирован строго определенным образом относительно кристаллографической |
|плоскости, выходящей на ее поверхность. |
|Основное физическое явление, которое имеет место в процессе эпитаксии,- это |
|кристаллизация вещества. Под кристаллизацией вещества понимают появление |
|зародышей твердой фазы и их рост. В зависимости от того, из каких составов |
|получают ЭС, различают следующие механизмы кристаллизации: |
| |
|Механизм пар – кристалл (П - К), когда образование твердой фазы происходит из |
|парообразного или газообразного состояния вещества; |
|Механизм пар – жидкость – кристалл (П – Ж - К), когда образование твердой фазы |
|из парообразного состояния проходит стадию жидкого состояния. Примером может |
|служить кристаллизация Ge на подложке Si, если последнюю нагреть до температуры,|
|превышающей температуру плавления Ge; |
|Механизм твердое тело – кристалл (Т - К), когда выращивание эпитаксиального слоя|
|производится из электролитов или расплавов. |
|Эпитаксию применяют для выращивания на поверхности кремниевой пластины |
|полупроводникового слоя с п- или р-проводимостью. Такой слой толщиной несколько |
|микрон образуется при пропускании над нагретой до 1250 °С подложкой потока газа,|
|содержащего несколько соединений, которые, вступая в химическую реакцию, |
|разлагаются на части и приводят к образованию эпитаксиального слоя с n- или |
|р-проводимостью на поверхности пластины. |
|Напыление и нанесение пленок. Элементы полупроводни |
|ковых ИМС соединяются между собой с помощью проводящего рисунка, полученного |
|путем напыления металлической пленки. Для этого после вытравления с помощью |
|фотолитографии окон под контакты в вакууме напыляется алюминиевая пленка на всю |
|поверхность пластины. Путем напыления формируют также металлизированные |
|площадки, к которым путем термокомпрессионной сварки привариваются выводы |
|микросхемы и тонкие проволочки, соединяющие бескорпусные транзисторы в гибридных|
|ИМС. В последнее время вместо проволочных перемычек применяют балочные выводы, |
|представляющие собой золотые удлиненные выступы. Во время сборки гибридной ИМС |
|балочные выводы совмещают с контактными площадками на подложке и припаивают к |
|ним, нагревая до температуры, при которой образуется эвтектический спай. Наконец|
|путем напыления и нанесения пленок изготавливают пассивные элементы в |
|совмещенных и гибридных ИМС в виде толстых и тонких пленок. |
Используемая литература
1. Справочник «Логические ИС. КР1533, КР1554. Часть 2.». - БИНОМ, 1993г.
2. В.Л. Шило. Популярные цифровые микросхемы. - «Металлургия», 1988г.
3. «Интегральные микросхемы и основы их проектирования».
Н.М. Николаев, Н.А. Филинюк.
4. «Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы». Справочник.
5. «Логические интегральные схемы КР1533, КР1554». Справочник.
6. «Конструирование и технология микросхем».
7. «Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах».
Справочник. Г.И. Пухальский, Т.Я. Новосельцева.
-----------------------
Лит
Масштаб
Масса
КР1533ТВ6
Лит
Масштаб
Масса
КР1533ТВ6
Лит
Масштаб
Масса
КР1533ТВ6
Лит
Масштаб
Масса
КР1533ТВ6
Лит
Масштаб
Масса
КР1533ТВ6
Лит
Масштаб
Масса
КР1533ТВ6
Страницы: 1, 2
|