МЕНЮ


Фестивали и конкурсы
Семинары
Издания
О МОДНТ
Приглашения
Поздравляем

НАУЧНЫЕ РАБОТЫ


  • Инновационный менеджмент
  • Инвестиции
  • ИГП
  • Земельное право
  • Журналистика
  • Жилищное право
  • Радиоэлектроника
  • Психология
  • Программирование и комп-ры
  • Предпринимательство
  • Право
  • Политология
  • Полиграфия
  • Педагогика
  • Оккультизм и уфология
  • Начертательная геометрия
  • Бухучет управленчучет
  • Биология
  • Бизнес-план
  • Безопасность жизнедеятельности
  • Банковское дело
  • АХД экпред финансы предприятий
  • Аудит
  • Ветеринария
  • Валютные отношения
  • Бухгалтерский учет и аудит
  • Ботаника и сельское хозяйство
  • Биржевое дело
  • Банковское дело
  • Астрономия
  • Архитектура
  • Арбитражный процесс
  • Безопасность жизнедеятельности
  • Административное право
  • Авиация и космонавтика
  • Кулинария
  • Наука и техника
  • Криминология
  • Криминалистика
  • Косметология
  • Коммуникации и связь
  • Кибернетика
  • Исторические личности
  • Информатика
  • Инвестиции
  • по Зоология
  • Журналистика
  • Карта сайта
  • Определение параметров p-n перехода

    Определение параметров p-n перехода

    «МАТИ»-РГТУ

    им. К. Э. Циолковского

    тема: «Определение параметров p-n перехода»

    Кафедра: "Xxxxxxxxxx xxxxxxxxxx

    xxxxxxxxxxxxxxxx"

    Курсовая работа

    |студент Хxxxxxxx X. X. |

    |группа XX-X-XX |

    |дата сдачи |

    |оценка |

    г. Москва 2001 год

    Оглавление:

    |1. Исходные данные |3 | |

    |2. Анализ исходных данных |3 | |

    |3. Расчет физических параметров p- и n- областей |3 | |

    |а) эффективные плотности состояний для зоны |3 | |

    |проводимости и валентной зоны | | |

    | | | |

    |б) собственная концентрация |3 | |

    |в) положение уровня Ферми |3 | |

    |г) концентрации основных и неосновных носителей |4 | |

    |заряда | | |

    |д) удельные электропроводности p- и n- областей |4 | |

    |е) коэффициенты диффузий электронов и дырок |4 | |

    |ж) диффузионные длины электронов и дырок |4 | |

    | | | |

    |4. Расчет параметров p-n перехода |4 | |

    |a) величина равновесного потенциального барьера |4 | |

    |б) контактная разность потенциалов |4 | |

    |в) ширина ОПЗ |5 | |

    |г) барьерная ёмкость при нулевом смещении |5 | |

    |д) тепловой обратный ток перехода |5 | |

    |е) график ВФХ |5 | |

    |ж) график ВАХ |6, 7 | |

    | | | |

    |5. Вывод |7 | |

    |6. Литература |8 | |

    |1. Исходные данные |

    |1) материал полупроводника – GaAs |

    |2) тип p-n переход – резкий и несимметричный |

    |3) тепловой обратный ток ([pic]) – 0,1 мкА |

    |4) барьерная ёмкость ([pic]) – 1 пФ |

    |5) площадь поперечного сечения ( S ) – 1 мм2 |

    |6) физические свойства полупроводника |

    | |

    |Ширина |Подвижность при |Эффективная масса |Время |Относительн|

    |запрещенн|300К, м2/В(с | |жизни |ая |

    |ой зоны, | | |носителей|диэлектриче|

    |эВ | | |заряда, с|ская |

    | | | | |проницаемос|

    | | | | |ть |

    | |электроно|Дырок |электрона|дырки | | |

    | |в | |mn/me |mp/me | | |

    | | | | | | | |

    |1,42-8 |0,85-8 |0,04-8 |0,067-8 |0,082-8 |10-8 |13,1-8 |

    | |

    |2. Анализ исходных данных |

    |1. Материал легирующих примесей: |

    |а) S (сера) элемент VIA группы (не Me) |

    |б) Pb (свинец) элемент IVA группы (Me) |

    |2. Концентрации легирующих примесей: Nа=1017м -3, Nд=1019м -3 |

    |3. Температура (T) постоянна и равна 300К (вся примесь уже ионизирована) |

    |4. [pic] – ширина запрещенной зоны |

    |5. [pic], [pic] – подвижность электронов и дырок |

    |6. [pic], [pic] – эффективная масса электрона и дырки |

    |7. [pic] – время жизни носителей заряда |

    |8. [pic] – относительная диэлектрическая проницаемость |

    |3. Расчет физических параметров p- и n- областей |

    |а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны |

    |[pic] |

    |[pic] |

    |б) собственная концентрация |

    |[pic] |

    | |

    |в) положение уровня Ферми |

    |[pic] (рис. 1) |

    | |

    |[pic] (рис. 2) |

    | | |

    |(рис. 1) |(рис. 2) |

    |г) концентрации основных и неосновных носителей заряда |

    |[pic] |[pic] |

    | | |

    |[pic] |[pic] |

    |д) удельные электропроводности p- и n- областей |

    |[pic] |

    | |

    |[pic] |

    |е) коэффициенты диффузий электронов и дырок |

    |[pic] |

    | |

    |[pic] |

    |ж) диффузионные длины электронов и дырок |

    |[pic] |

    |[pic] |

    | |

    |4. Расчет параметров p-n перехода |

    |a) величина равновесного потенциального барьера |

    |[pic] |

    |б) контактная разность потенциалов |

    |[pic] |

    |в) ширина ОПЗ (переход несимметричный [pic]( [pic]) |

    |[pic] |

    |г) барьерная ёмкость при нулевом смещении |

    |[pic] |

    |д) тепловой обратный ток перехода |

    |[pic] |

    |[pic] |

    |е) график ВФХ | |

    | | |

    |[pic] | |

    | | |

    | | |

    | |– общий вид функции для построения ВФХ |

    | |

    |ж) график ВАХ |

    | |

    |[pic] |

    | | |

    | |– общий вид функции для построения ВАХ |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    |Ветвь обратного теплового тока (масштаб) |

    |[pic] |

    |Ветвь прямого тока (масштаб) |

    |Вывод. При заданных параметрах полупроводника полученные значения |

    |удовлетворяют физическим процессам: |

    |- величина равновесного потенциального барьера ([pic]) равна [pic], что |

    |соответствует условию [pic]>0,7эВ |

    | |

    |- барьерная емкость при нулевом смещении ([pic]) равна 1,0112пФ т.е. |

    |соответствует заданному ( 1пФ ) |

    | |

    |- значение обратного теплового тока ([pic]) равно 1,92(10-16А т.е. много меньше|

    |заданного ( 0,1мкА ) |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    | |

    |Литература: |

    |1. Шадский В. А. Конспект лекций «Физические основы микроэлектроники» |

    |2. Шадский В. А Методические указания к курсовой работе по курсу «ФОМ». |

    |Москва, 1996 г. |

    |3. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники. Москва, «Советское |

    |радио», 1971 г. |

    -----------------------

    Eg

    X

    Ei

    Ec

    Ev

    EF

    Eg

    EF

    Ei

    Ec

    Ev

    X

    [pic]

    [pic]

    [pic]


    Приглашения

    09.12.2013 - 16.12.2013

    Международный конкурс хореографического искусства в рамках Международного фестиваля искусств «РОЖДЕСТВЕНСКАЯ АНДОРРА»

    09.12.2013 - 16.12.2013

    Международный конкурс хорового искусства в АНДОРРЕ «РОЖДЕСТВЕНСКАЯ АНДОРРА»




    Copyright © 2012 г.
    При использовании материалов - ссылка на сайт обязательна.