МЕНЮ


Фестивали и конкурсы
Семинары
Издания
О МОДНТ
Приглашения
Поздравляем

НАУЧНЫЕ РАБОТЫ


  • Инновационный менеджмент
  • Инвестиции
  • ИГП
  • Земельное право
  • Журналистика
  • Жилищное право
  • Радиоэлектроника
  • Психология
  • Программирование и комп-ры
  • Предпринимательство
  • Право
  • Политология
  • Полиграфия
  • Педагогика
  • Оккультизм и уфология
  • Начертательная геометрия
  • Бухучет управленчучет
  • Биология
  • Бизнес-план
  • Безопасность жизнедеятельности
  • Банковское дело
  • АХД экпред финансы предприятий
  • Аудит
  • Ветеринария
  • Валютные отношения
  • Бухгалтерский учет и аудит
  • Ботаника и сельское хозяйство
  • Биржевое дело
  • Банковское дело
  • Астрономия
  • Архитектура
  • Арбитражный процесс
  • Безопасность жизнедеятельности
  • Административное право
  • Авиация и космонавтика
  • Кулинария
  • Наука и техника
  • Криминология
  • Криминалистика
  • Косметология
  • Коммуникации и связь
  • Кибернетика
  • Исторические личности
  • Информатика
  • Инвестиции
  • по Зоология
  • Журналистика
  • Карта сайта
  • Расчет полевого транзистора

    Расчет полевого транзистора

    1 Расчет входной и выходной характеристики транзистора с использованием

    модели Молла – Эберса.

    1.1 Расчет и построение выходных характеристик транзистора

    Исходные данные:

    . q = 1,6*10 –19 Кл – заряд электрона;

    . ni = 1,5*1010 см –3 – концентрация, при температуре 300 К;

    . А = 1*10 –6 см2 – площадь p-n перехода;

    . Дnк = 34 см2/с – коэффициент диффузии электронов в коллекторной

    области;

    . Дрб = 13 см2/с – коэффициент диффузии дырок в базовой области;

    . Ln = 4.1*10 –4 м – диффузионная длина электрона;

    . UТ = 25,8 мВ – температурный потенциал при температуре 300 К;

    . Wб = 4,9 мм – ширина базовой области;

    . Nдб = 1,1*1016 см –3 – донорная концентрация в базовой области;

    . Nак = 3*1017 см –3 – акцепторная концентрация в коллекторной области;

    [pic] (1.1)

    UЭ – const

    -UК = 0; 0.01; 0.05; 0.1; 1; 1.5; 2; 3; 4; 5;

    Находим значение IК , затем меняя UЭ , при тех же значениях UК находим

    значения тока.

    Таблица 1.1 – Значения IК при разных значениях UЭ

    |IК при UЭ = |IК при UЭ |IК при UЭ = |IК при UЭ |IК при UЭ = |

    |0 В |=0.005 В |0.01 В |=0.015 В |0.02 В |

    |0 |0 |0 |0 |0 |

    |8.429e-3 |5.598e-3 |0.021 |0.029 |0.039 |

    |0.023 |0.014 |0.035 |0.043 |0.053 |

    |6.749 |0.028 |0.038 |0.046 |0.056 |

    |0.026 |0.032 |0.039 |0.047 |0.057 |

    |0.026 |0.032 |0.039 |0.047 |0.057 |

    |0.026 |0.032 |0.039 |0.047 |0.057 |

    |0.026 |0.032 |0.039 |0.047 |0.057 |

    |0.026 |0.032 |0.039 |0.047 |0.057 |

    |0.026 |0.032 |0.039 |0.047 |0.057 |

    По полученным данным построим график зависимости представленный на рисунке

    1.1

    [pic]

    Рисунок 1.1 – Выходная характеристика транзистора

    1.2 Расчет и построение входных характеристик транзистора

    [pic] (1.2)

    UЭ = 0; 0.01; 0.02; 0.03; 0.04; 0.05; 0.06; 0.07; 0.08; 0.09

    UК – const

    Таблица 1.2 – Значения тока эмиттера при различных значениях UЭ

    |IЭ при UК = 0 В |IЭ при UК = - ( |IЭ при UК = 0.03|

    | |В |В |

    |0 |-0.026 |0.057 |

    |-0.012 |-0.039 |0.045 |

    |-0.031 |-0.057 |0.027 |

    Продолжение таблицы 1.2

    |-0.057 |-0.084 |-3.552e-10 |

    |-0.097 |-0.123 |-0.039 |

    |-0.154 |-0.181 |-0.097 |

    |-0.239 |-0.265 |-0.182 |

    |-0.363 |-0.390 |-0.306 |

    |-0.546 |-0.573 |-0.489 |

    |-0.815 |-0.841 |-0.758 |

    Для построения входной характеристики нужны значения тока базы

    IБ = -(IЭ + IК )

    (1.3)

    Таблица 1.3 – Значения тока базы

    |IБ [мА] |

    |0 |0.021 |-0.070 |

    |3.954e-3 |0.025 |-0.066 |

    |8.033e-3 |0.029 |-0.062 |

    |0.031 |0.052 |-0.038 |

    |0.070 |0.091 |4.754e-4 |

    |0.128 |0.149 |0.058 |

    |0.213 |0.233 |0.143 |

    |0.337 |0.358 |0.267 |

    |0.520 |0.541 |0.450 |

    |0.788 |0.809 |0.719 |

    По значениям токов и напряжений построим зависимость тока базы от

    напряжения UБЭ представленную на рисунке 1.2.

    [pic]

    Рисунок 1.2 – Входные характеристики транзистора

    2 Расчет концентрации не основных носителей

    Исходные данные:

    . Wе = 3,0 мм – ширина эмиттерной области;

    . Wб = 4,9 мкм – ширина базовой области;

    . Wк = 5,1 мм – ширина коллекторной области;

    . Х = 10 мм

    2.1 В эмиттерной области:

    [pic]

    где UЭ = 0,005B

    [pic]

    [pic]

    Рисунок 2.1 – График распределения концентрации от координат в эмиттерной

    области

    2.2 В базовой области:

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    UЭ = 0.005 В; UК = 1.4 В.

    [pic]

    Рисунок 2.2 – График распределения концентрации в базовой области

    В эмиттерной области:

    [pic]

    [pic]

    UК = 1.4 В

    [pic]

    Рисунок 2.3 – График концентрации в коллекторной области

    3 Расчет эффективности эмиттера

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    UЭ = 0,2 В; UК = 0,1 В

    [pic]

    4 Коэффициент переноса тока через базу

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    5 Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ

    [pic]

    где М – коэффициент умножения тока коллектора

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    6 Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ

    [pic]

    7 Расчет барьерной емкости коллекторного перехода

    [pic]

    [pic]

    где U0 – пороговое напряжение перехода

    [pic]

    [pic]

    8 Расчет h – параметров

    Для вычисления h – параметров используем характеристики транзистора

    полученные с использованием модели Молла – Эберса.

    [pic]

    Рисунок 8.1 – Выходные характеристики транзистора

    UКЭ =EK – IKRH,

    EK = IKRH + UКЭ,

    ЕК = 0,057*10+(-5)=4,43

    [pic]

    Рисунок 8.2 – Входные характеристики транзистора

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    Воспользуемся формулами связи между параметрами транзистора при различных

    включениях.

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    9 Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода

    [pic]

    [pic]

    10 Расчет дифферинцеальной емкости эмиттерного перехода

    [pic]

    11 Расчет эффекта Эрли

    При UЭ = const, концентрация носителей в базовой области становится

    функцией коллекторного напряжения:

    |UK |

    |0 |

    |0.2 |

    |0.4 |

    |0.8 |

    |1.2 |

    |1.4 |

    [pic]

    Рисунок 11.1 – Зависимости концентраций в базовой области:

    1 – в зависимости от ширины базы, 2 – как функция от приложенного UK

    12 Расчет и построение ФЧХ и АЧХ

    12.1 ФЧХ

    [pic]

    [pic]

    ( изменяем 0 – 1000 Гц

    [pic]

    [pic]

    |( |(0 |

    |0.1 |-0.42 |

    |10 |-5.465 |

    |100 |-21.465 |

    |200 |-62.34 |

    |500 |-80 |

    |1000 |-85.2 |

    [pic]

    Рисунок 12.1 – ФЧХ

    12.2 АЧХ

    При использовании тех же частот

    [pic]

    [pic]

    [pic]

    Рисунок 12.1 - АЧХ


    Приглашения

    09.12.2013 - 16.12.2013

    Международный конкурс хореографического искусства в рамках Международного фестиваля искусств «РОЖДЕСТВЕНСКАЯ АНДОРРА»

    09.12.2013 - 16.12.2013

    Международный конкурс хорового искусства в АНДОРРЕ «РОЖДЕСТВЕНСКАЯ АНДОРРА»




    Copyright © 2012 г.
    При использовании материалов - ссылка на сайт обязательна.