Разработка для контроля и определения типа логических интегральных микросхем методом сигнатурного анализа

| |Конденсаторы | | |

|C1, C2 |К50-16 - 16в-10мкф |2 | |

|C3 |КМ-3б-Н30 - 0.1мкф (20% |1 | |

|C4 |К50-16 - 16в-100мкф |1 | |

|C5, C6 |К50-6 - 16в-2000мкф |2 | |

|C7, C8 |К50-16 - 16в-100мкф |2 | |

| | | | |

| |Микросхемы аналоговые ГОСТ 18682-83 | | |

|DA1 |К142ЕН1А |1 | |

|DA2 |К142ЕН5А |1 | |

|DA3, |К572ПА1А |2 | |

|DA4 | | | |

|DA5 |К554СА3А |1 | |

|DA6 |К140УД6 |1 | |

| | | | |

| | | | | | |

| | | | | |ППИ СПГТУ 2201.97.01 ПЭ1 |

|Из|Лис|N докум.|Подп.|Дат| |

|м |т | | |а | |

|Разраб.| | | | |Лит. |Лист |Листов |

|Пров. | | | |Сигнатурный анализатор | | | |1 |3 |

| | | | | | |

|N | | | |Перечень элементов | |

|контр. | | | | | |

|Утв. | | | | | |

| | | | |

|Поз. |Наименование |Кол|Примечание |

|обоз-на| | | |

|чение | | | |

| | | | |

| |Микросхемы цифровые ГОСТ 17021-75 | | |

|DD1 |К555ИД7 |1 | |

|DD2..DD|К555ИР27 |7 | |

|8 | | | |

|DD9, |К555ИД7 |2 | |

|DD10 | | | |

|DD11 |К155ЛП4 |1 | |

|DD12 |К561ТМ2 |1 | |

|DD13.. |К555КП11 |4 | |

|DD16 | | | |

| |Переключатели | | |

|SA1 |ПКН-41 |1 | |

| |Предохранители | | |

|FU1 |0.5А |1 | |

| |Разъемы | | |

|X3 |Панель SLC-32, 32pin |1 | |

|LPT-пор|DB25-M, 25pin |1 | |

|т | | | |

| | | | |

| |Резисторы | | |

|R1..R32|МЛТ-0.125 - 100К (10% |32 | |

|R33..R6|МЛТ-0.125 - 27К (10% |32 | |

|4 | | | |

|R65..R9|МЛТ-0.125 - 4.3К (10% |32 | |

|6 | | | |

|R97..R1|МЛТ-0.125 - 100К (10% |32 | |

|28 | | | |

|R129..R|МЛТ-0.125 - 10К (10% |32 | |

|160 | | | |

|R161 |МЛТ-0.125 - 390 (10% |1 | |

|R162 |МЛТ-0.125 - 270 (10% |1 | |

|R163, |МЛТ-0.125 - 1К (10% |2 | |

|R164 | | | |

|R165, |МЛТ-0.125 - 360К (10% |2 | |

|R166 | | | |

|R167 |МЛТ-0.125 - 10К (10% |1 | |

| | | | | | |Лис|

| | | | | | |т |

| | | | | |ППИ СПГТУ 2201.97.01 ПЭ1 |2 |

|Из|Лис|N докум.|Подп.|Дат| | |

|м |т | | |а | | |

| | | | |

|Поз. |Наименование |Кол|Примечание |

|обоз-на| | | |

|чение | | | |

|R168 |МЛТ-0.125 - 100К (10% |1 | |

|R169, |МЛТ-0.125 - 10К (10% |2 | |

|R170 | | | |

|R171 |C5-16-0.125 - 0.1 (1% |1 | |

|R172..R|МЛТ-0.125 - 430 (10% |9 | |

|180 | | | |

|R181..R|МЛТ-0.125 - 10К (10% |14 | |

|194 | | | |

|R195 |МЛТ-0.125 - 100К (10% |1 | |

|R196 |МЛТ-0.125 - 910 (10% |1 | |

|R197 |МЛТ-0.125 - 1К (10% |1 | |

|R198 |СП5-3ВА-0.5 - 4.7К (10% |1 | |

|R199 |МЛТ-0.125 - 390 (10% |1 | |

|R200 |МЛТ-0.125 - 10К (10% |1 | |

| | | | |

| |Транзисторы | | |

|VT1.. |КП303 |32 | |

|VT32 | | | |

|VT33.. |КП301 |32 | |

|VT64 | | | |

|VT65.. |КТ315Б |33 | |

|VT97 | | | |

|VT98 |КТ815Б |1 | |

|VT99.. |КТ814Б |6 | |

|VT104 | | | |

|VT105..|КТ815Б |3 | |

| | | | |

|VT107 | | | |

|VT108..|КТ361Б |4 | |

| | | | |

|VT111 | | | |

|VT112 |КТ315Б |1 | |

|VT113 |КТ361Б |1 | |

|VT114 |КТ815Б |1 | |

| |Трансформаторы | | |

|T1 |ТПП207-127/220-50 |1 | |

| | | | |

| | | | | | |Лис|

| | | | | | |т |

| | | | | |ППИ СПГТУ 2201.97.01 ПЭ1 |3 |

|Из|Лис|N докум.|Подп.|Дат| | |

|м |т | | |а | | |

2) Основные параметры тестируемых микросхем.

а) ТТЛ микросхемы [3,4] (при Uпит.=5в):

|Параметр |К155 |К555 |К531 |КР1531 |

|U1вх. мин., В |2 |2 |2 |2 |

|U0вх. макс., В |0.8 |0.8 |0.8 |0.8 |

|U0вых. макс., В |0.4 |0.5 |0.5 |0.5 |

|I0вых. макс., мА |16 |8 |20 | |

|U1вых. мин., В |2.4 |2.7 |2.7 |2.7 |

|I1вых., макс., мА |-0.8 |-0.4 |-1 | |

|I1вых. макс. с ОК,|250 |100 |250 | |

|мкА | | | | |

|I1вых. макс. сост.|40 |20 |50 | |

|Z, мкА | | | | |

|I0вых. макс. сост.|-40 |-20 |-50 | |

|Z, мкА | | | | |

|I1вх. макс., мкА |40 |20 |50 |20 |

|I0вх. макс., мА |-1.6 |-0.4 |-2.0 |-0.6 |

|Iк.з. макс., мА |-(18(55) |-100 |-100 |-(60(150) |

|(U0вых=0) | | | | |

|tзд. Р., нс |9 |9.5 |3 |3 |

|Rн, кОм |0.4 |2 |0.28 |0.28 |

|Pпот., мВт |10 |2 |19 |4 |

б) КМОП микросхемы [3,4] (при Uпит.=10в):

|Параметр |К176 |К561 |КР1561 |

|U1вх. мин., В |7 |7 |7 |

|U0вх. макс., В |3 |3 |3 |

|Iвх. макс., мкА |0.1 |0.2 |0.3 |

|U0вых. макс., В |0.3 |2.9 |1 |

|I0вых. макс., мА | |0.3 |1.1 |

|U1вых. мин., В |8.2 |7.2 |9 |

|I1вых. макс., мА | |0.3 |-1.1 |

|tзд. Р., нс |600 |620 |190 |

3) Описание и распайка LPT-порта (нормальный режим) [7].

|Порт |Бит |Контакт разъема |Описание |

|378H |0 |2 |используется для записи |

| |1 |3 |-“”- |

| |2 |4 |-“”- |

| |3 |5 |-“”- |

| |4 |6 |-“”- |

| |5 |7 |-“”- |

| |6 |8 |-“”- |

| |7 |9 |-“”- |

|379H |0-2 |- |не используются |

| |3 |15 |используется для чтения |

| |4 |13 |-“”- |

| |5 |12 |-“”- |

| |6 |10 |-“”- |

| |7 |11 |-“”- |

|37AH |0 |1 |используется для записи |

| |1 |14 |-“”- |

| |2 |16 |-“”- |

| |3 |17 |-“”- |

| |4-7 |- |не используются |

4) Подпрограмма инициализации устройства.

INIT PROC NEAR ; начало подпрограммы инициализации

push ax ; Запоминаем значения регистров ax и dx

push dx

mov dx, 378h

mov al, 7Fh

out dx, al ; 7FH(378H

mov dx, 37AH

mov al, 7

out dx, al ; 07H(37AH

mov al, 0Fh

out dx, al ; 0FH(37AH

mov dx, 378h

mov al, 0

out dx, al ; 00H(378H

mov dx, 37AH

mov al, 5

out dx, al ; 05H(37AH

mov al, 0Dh

out dx, al ; 0DH(37AH

mov al, 6

out dx, al ; 06H(37AH

mov al, 0Eh

out dx, al ; 0EH(37AH

pop dx ; Восстанавливаем значения регистров

pop ax ; dx и ax

INIT ENDP ; конец подпрограммы инициализации

5) Подпрограмма тестирования микросхемы.

b_data db 02h ; Данные по коммутации

db 05h ; Макс. ток

dw 4 ; Число циклов тестирования

; Далее идут 32 байта данных:

dd 00000000000000000000000000000000b ; запись

dd 00000000010010010100100000000000b ; сверка

dd 00000000001001000001001000000000b ; запись

dd 00000000010010010100100000000000b ; сверка

dd 00000000000100100010010000000000b ; запись

dd 00000000010010010100100000000000b ; сверка

dd 00000000001101100011011000000000b ; запись

dd 00000000010000000000000000000000b ; сверка

TESTING PROC NEAR ; начало подпрограммы

; тестирования

push bx ; сохраняем регистры в стеке

push cx

push dx

mov bx, offset cs:b_data ; регистр BX - указатель

; на данные

mov al, cs:[bx] ; загрузка в AL данных по

; коммутации

mov ah, 7 ; выбор регистра коммутации (DD6)

call write_r ; запись AL в регистр коммутации

and al, 01000000B ; выделяем 6-й бит

; (тип микросхемы)

jnz kmop

mov al, 142 ; напряжение питания - +5в,

; если ТТЛ

jmp end_u

kmop: mov al, 255 ; напряжение питания - +9в,

; если КМОП

end_u: mov ah, 5 ; выбор регистра управления

; напряжением (DD7)

call write_r ; запись AL в регистр управления

; напряжением

inc bx ; ставим указатель на макс. ток

mov al, cs:[bx] ; загрузка в AL данных по току

add al, 7 ; коррекция данных по току на 7мА

mov al, 6 ; выбор регистра управления током

; (DD8)

call write_r ; запись AL в регистр управления

; током

inc bx ; ставим указатель на число

; циклов

mov cx, cs:[bx] ; загружаем число циклов в

; регистр CX

inc bx

cycle: mov dl,0 ; внешний цикл записи (по CX)

wr1: mov al, cs:[bx] ; внутренний цикл записи

; в 4 регистра (DD2-DD5)

call write_r ; по регистру DL

inc bx

inc dl

cmp dl, 4

jnz wr1

mov dl,0

rd1: mov ah, dl ; внутренний цикл чтения и

; сравнения данных, считанных из

call read_r ; 4-х мультиплексоров (DD13-DD16)

mov ah, cs:[bx] ; и указателя [BX];по регистру DL

cmp al, ah

jnz error

inc bx

inc dl

cmp dl, 4

jnz rd1

loop cycle

good: mov al, 0 ; выход из п/п с AX=0 в случае,

; если все OK

jmp exit

error: mov al, 0FFH ; выход из п/п с AX=0FFH в случае

; ошибки

exit: pop dx ; восстанавливаем регистры при

; выходе

pop cx

pop bx

TESTING ENDP

WRITE_R PROC NEAR

; процедура записи значения в регистры DD2-DD8

; Входные параметры: AL - записываемое значение

; AH - номер регистра

; (0-DD2, 1-DD3, 2-DD4, 3-DD5, 5-DD7, 6-DD8, 7-DD6)

push ax ; сохраняем используемые регистры

; в стеке

push dx

mov dx, 378H

not al ; инвертируем значение

out dx, al

mov dx, 37AH

mov al, ah

out dx, al

or al, 00001000b ; устанавливаем 3-й бит для

; записи в порт 37AH

out dx, al ; запись данных в регистр

pop dx ; восстанавливаем значения

; регистров из стека

pop ax

WRITE_R ENDP

READ_R PROC NEAR

; процедура чтения данных из мультиплексоров DD13-DD16

; Входные параметры: AH - номер мультиплексора

; (0-DD13, 1-DD14, 2-DD15, 3-DD16)

; Выходные параметры: AL - считанное значение

push cx ; сохраняем используемые регистры

; в стеке

push dx

mov dx, 37AH

mov al, ah

out dx, al ; выбираем мультиплексор записью

; AL в 37AH

mov al, 0 ; записываем 0 в регистр 378H для

; выбора для чтения

mov dx, 378H ; "младшей" половины

; мультиплексора

out dx, al

mov dx, 379H

in al, dx ; считываем данные "младшей"

; половины мультиплексора

mov ah, al ; сохраняем их в AH

mov al, 1 ; записываем 0 в регистр 378H для

; выбора для чтения "старшей"

mov dx, 378H ; половины мультиплексора

out dx, al

mov dx, 379H

in al, dx ; считываем данные "старшей"

; половины мультиплексора

; далее производим сборку считанных "половинок" из

; мультиплексоров по 4-е байта в 8 байт данных:

mov cl, 4

ror ah, cl ; сдвигаем данные в AH

; из 4-7 в 0-3 биты

and ah, 00001111b ; сбрасываем 4-7 биты в AH

and al, 11110000b ; сбрасываем 0-3 биты в AL

or al, ah ; логически суммируем AL и AH

not al ; инвертируем AL

pop dx ; восстанавливаем значения

; регистров из стека

pop cx

READ_R ENDP

Страницы: 1, 2, 3, 4