МЕНЮ


Фестивали и конкурсы
Семинары
Издания
О МОДНТ
Приглашения
Поздравляем

НАУЧНЫЕ РАБОТЫ


  • Инновационный менеджмент
  • Инвестиции
  • ИГП
  • Земельное право
  • Журналистика
  • Жилищное право
  • Радиоэлектроника
  • Психология
  • Программирование и комп-ры
  • Предпринимательство
  • Право
  • Политология
  • Полиграфия
  • Педагогика
  • Оккультизм и уфология
  • Начертательная геометрия
  • Бухучет управленчучет
  • Биология
  • Бизнес-план
  • Безопасность жизнедеятельности
  • Банковское дело
  • АХД экпред финансы предприятий
  • Аудит
  • Ветеринария
  • Валютные отношения
  • Бухгалтерский учет и аудит
  • Ботаника и сельское хозяйство
  • Биржевое дело
  • Банковское дело
  • Астрономия
  • Архитектура
  • Арбитражный процесс
  • Безопасность жизнедеятельности
  • Административное право
  • Авиация и космонавтика
  • Кулинария
  • Наука и техника
  • Криминология
  • Криминалистика
  • Косметология
  • Коммуникации и связь
  • Кибернетика
  • Исторические личности
  • Информатика
  • Инвестиции
  • по Зоология
  • Журналистика
  • Карта сайта
  • Разработка управления тюнером спутникового телевидения

    0,7; 0,9; 1,1; 1,3; 1,5 мм.

    Номинальное значение диаметров монтажных отверстий для разъема: d=1,5 мм.

    6. Минимальное значение диаметра металлизированного отверстия:

    dmin[pic]Hпл(, где Нпл=1,5 мм – толщина платы; (=0,25

    dmin[pic]1,5(0,25=0,5 мм

    7. Диаметр контактной площадки:

    D=d+(dво+2вm+(вво+((2d+(2p+(в2но)1/2

    (dво=0,5 мм; вm=0,025 мм (вво=(вно=0,05 мм

    (р=0,05 мм; (d=0,05 мм

    (dво+2 вm+(вво+((2d+(2p+(в2но)1/2=0,05+0,05+0,05+(3(25(10-4)1/2=0,24

    d=0,7 мм D=0,95 мм

    d=0,9 мм D=1,15 мм

    d=1,5 мм D=1,75 мм

    8. Определение номинальной ширины проводника:

    в=вMD+((вНО(, где

    вMD=0,15 мм; (вНО=0,05 мм

    в=0,15+0,05=0,2 мм

    9. Расчет зазора между проводниками:

    S=SMD+(вВО, где

    (вВО=0,05 мм; SMD=0,15 мм

    S=0,15+0,05=0,2 мм

    10. Расчет минимального расстояния для прокладки 2-х проводников между

    отверстиями с контактными площадками диаметрами D1 и D2.

    l=[pic]+вn+S(n+1)+(l , где

    n=2; (l=0,03 мм

    l=1,05+0,4+0,6+0,03=2,1 мм.

    2.5. Расчет параметров проводящего рисунка с учетом технологических

    погрешностей получения защитного рисунка.

    1. Минимальный диаметр контактной площадки:

    Dmin=D1min+1,5hф+0,03

    D1min=2(вм+[pic]+(d+(p)

    dmax1=0,9 мм

    D1min=2(0,025+0,45+0,05+0,05)=1,15 мм

    Dmin1=1,15+0,6=1,21

    dmax2=1,5 мм

    Dmin2=1,81 мм

    2. Максимальный диаметр контактной площадки:

    Dmax=Dmin+(0,02…0,06)

    Dmax1=1,21+0,02=1,23 мм

    Dmax2=1,81+0,02=1,83 мм

    3. Минимальная ширина проводника:

    вmin=в1min+1,5hф+0,03, где

    в1min=0,15 мм

    вmin=0,15+0,6=0,21

    4. Максимальная ширина проводника:

    вmax= вmin+(0,02…0,06)

    вmax=0,23 мм

    5. Минимальная ширина линии на фотошаблоне:

    вмmin= вmin-(0,02…0,06)

    вмmin=0,21-0,02=0,19 мм

    6. Максимальная ширина линии на фотошаблоне:

    вмmax= вmin+(0,02…0,06)

    вмmax=0,21+0,06=0,27 мм

    7. Минимальное расстояние между проводником и контактной площадкой:

    S1min=L0-[Dmax/2+(p+ вmax/2+(l]

    L0=1,25 мм

    S1min=1,25-0,615-0,05-0.115-0,03=0,44 мм

    8. Минимальное расстояние между двумя контактными площадками:

    S2min=L0-(Dmax+2(p)

    L0=1,25 мм+0,3 мм=1,55 мм

    S2min=1,25-1,23-2(0,05+0,03=0,20 мм

    9. Минимальное расстояние между проводником и контактной площадкой на

    фотоблоке:

    S3min=L0-(Bmax+2(l)

    L0=1,25 мм

    S3min=1,25-0,575-0,05-0,135-0,03=0,46 мм

    10. Минимальное расстояние между проводником и контактной площадкой на

    фотоблоке:

    S4min=L0-(Dмmax/2+(p+вмmax/2+(l)

    L0=1,25 мм

    S4min=1,25-0,575-0,05-0,135-0,03=0,46 мм

    11. Минимальное расстояние между двумя контактными площадками на фотоблоке:

    S5min=L0-(Dмmax+2(p)

    L0=1,55 мм

    S5min=1,55-1,25-0,1=0,2 мм

    12. Минимальное расстояние между двумя проводниками на фотоблоке:

    S6min=L0-(вмmax+2(l)

    L0=1,25 мм

    S6min=1,25-0,27-0,06=0,92 мм

    2.6. Расчет проводников по постоянному току.

    Наиболее важными электрическими свойствами печатных плат по

    постоянному току является нагрузочная способность проводников по току и

    сопротивление изоляции.

    Практически сечение проводника рассчитывается по допустимому падению

    напряжения Uп на проводнике:

    1. Uп=[pic] вп=0,23 мм hф=0,02 мм

    l=0,5 м (=0,0175 [pic] I=30 мА

    Uп=[pic]=57 мВ

    Uп103Rвх, где Rвх=[pic]=10 кОм.

    2.7. Расчет проводников по переменному току.

    1. Падение импульсного напряжения на длине проводника в l cм.

    UL=Lпо[pic] Lпо=1,8 [pic]; (I=6 мА; tU=5 нс

    UL=1,8 [pic]=2,16[pic]

    2. Максимальная длина проводника:

    lmaxa(x,y)=11,13g

    0,003в=0,54 мм>(B=0,47 мм

    Расчет ударопрочности.

    1. Частота ударного импульса:

    (=[pic] (=10-3 c (=3140

    2. Коэффициент передачи при ударе:

    Ку=2sin[pic]=2sin[pic]=0,45

    [pic]=6,95 – коэффициент расстройки

    3. Ударное ускорение:

    ау=Ну(Ку=15g(0,45=6,72g

    4. Ударное перемещение:

    [pic]мм

    Вывод: адоп=35g>ay=6,72g

    0,003в=0,54 мм>Zmax=0,15 мм

    5. Частным случаем ударного воздействия является удар при падении прибора.

    Относительная скорость соударения:

    V0=Vy+V0T

    Vy=[pic] H=0,1 м

    V0T=Vy(KCB=1,41(0,68=20,97 м/с

    V0=1,41+0,97=2.38 м/с

    Действующее на прибор ускорение:

    ап=2(V0f0=6,28(2,38(71,9=109g

    aдоп=150g>aп=109g

    2.9. Расчет теплового режима.

    Размеры нагретой зоны:

    l31=180 мм; l32=215 мм; l33=15 мм

    Размеры блока:

    l(1=220 мм; l(2=255 мм; l(3=55 мм

    1. Площадь блока.

    S(=2(l(1 l(2+( l(1+ l(2) l(3)=2(0,22(0,255+(0,22+0,255)0,055)=0,16 м2

    2. Поверхность нагретой зоны:

    SH3=2(l31 l32+( l31+ l32) l33)=2(0,18(0,215+(0,18+0,215)0,015)=0,09 м2

    3. Удельная мощность, рассеиваемая блоком:

    q(=[pic]=93,75 Вт/м2

    4. Удельная мощность, рассеиваемая зоной:

    qH3=[pic] Вт/м2

    5. Перегрев блока и нагретой зоны относительно окружающей среды:

    (Т,(С

    (Т1=10(С - q(

    (T2=15(C - qНЗ

    50 100 150 200 250 q(,qНЗ Вт/м2

    6. Площадь вентиляции:

    SBO=S((0,2=0,16(0,2=0,032 м2

    7. Коэффициент перфорации:

    КПФ=[pic]

    8. Коэффициент, учитывающий перегрев при наличии вентиляционных отверстий:

    Кm=У(КПФ)

    Km

    Km=0,5

    0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 КПФ

    9. Перегрев поверхности блока с учетом перфорации:

    (Т(=0,93(Кm(Т1=0,93(0,5(10=4,65(С

    10. Перегрев нагретой зоны с учетом перфорации:

    (ТНЗ=Кm(Т2=0,5(15=7,5(С

    11. Перегрев воздуха в блоке:

    (ТСП=0,6(ТНЗ=0,6(7,5=4,5(С

    12. Удельная мощность, рассеиваемая компонентом:

    qK=[pic]=[pic]=2555,4 Вт/м2

    13. Перегрев поверхности компонента:

    (ТК=(ТНЗ(0,75+0,25[pic])=7,5(0,75+0,25[pic])=34,4(С

    14. Перегрев воздуха над компонентом:

    (ТСК=(ТСП(0,75+0,25[pic])=20,61(С

    15. Температура блока:

    Т(=ТОС+(Т(=25+4,65=29,65(С

    16. Температура нагретой зоны:

    ТНЗ= ТОС+(ТНЗ=25+7,5=32,5(С

    17. Температура воздуха в нагретой зоне:

    ТСП= ТОС+(ТСП=25+4,5=29,5(С

    18. Температура компонента:

    ТК= ТОС+(ТК=25+34,4=59,4(С

    19. Температура окружающей компонент среды:

    ТСК= ТОС+(ТСК=25+20,61=45,61(С

    Тдоп=70(С>ТК=59,4(С

    В данном блоке не нужна принудительная вентиляция, т.к. естественные

    условия допускают температурный режим.

    2.10. Расчет качества.

    Расчет качества будем производить по следующим показателям:

    1. Назначения.

    2. Надежности.

    3. Технологичности.

    4. Эргономико-эстетическим.

    1)

    |Назначение |Б |Д |gi |mi |gi mi|

    |Масса, кг |6,5 |5,4 |1,2 |0,3 |0,36 |

    |Объем, дм3 |15,7 |8,3 |1,9 |0,3 |0,57 |

    |Мощность, Вт |50 |40 |1,25 |0,2 |0,25 |

    |Уровень миниатюризации |2 |1 |2 |0,2 |0,4 |

    Q=[pic]=1,58, Q2=qimi

    2) Основным показателем надежности является среднее время наработки на

    отказ:

    ТсрБ=20(103ч ТсрД=29(103 ч

    qi=[pic]1,8 m2=1

    3)

    |Технологичность |Б |Д |gi |mi |gi mi|

    |Коэффициент автоматизации и | | | | | |

    |механизации монтажа |0,81 |0,92 |1,13 |0,3 |0,34 |

    |Коэффициент подготовки ЭРЭ к| | | | | |

    |монтажу |0,35 |0,55 |1,57 |0,3 |0,47 |

    |Коэффициент повторяемости | | | | | |

    |ЭРЭ |0,49 |0,56 |1,14 |0,2 |0,23 |

    |Коэффициент применяемости | | | | | |

    | |0,9 |0,86 |1,04 |0,2 |0,21 |

    Q=1,25

    4) Эргономико-эстетические.

    Оценку будем вести по пятибальной шкале.

    |Б |Д |g |m |Gm |

    |3 |5 |1,67 |1 |1,67 |

    В данном случае учитывается более оригинальный вид, удобства в

    эксплуатации, увеличение количества принимаемых каналов.

    Оценим комплексный показатель качества:

    Qкомпл=1,58(0,3+1,8(0,2+1,25(0,2+1,67(0,3=0,474+0,36+0,25+0,501=

    =1,587

    2.11 Расчет надежности.

    1. Интенсивность отказов элементов в зависимости от условий эксплуатации

    изделия

    (2=(02K1K2K3 К4Q2(T,KH)

    (02 – номинальная интенсивность отказов

    K1 и K2 – поправочные коэффициенты в зависимости от воздействия

    механических факторов. Для стационарной аппаратуры K1 =1,04; K2=1,03.

    К3 – поправочный коэффициент в зависимости от воздействия влажности и

    температуры. Для влажности 60(70 % т Т=20(40(С К3=1.

    К4 – поправочный коэффициент в зависимости от давления воздуха К4=1,14.

    K1K2K3 К4=1,22

    Q2(КН,Т) – поправочный коэффициент в зависимости от температуры поверхности

    элемента и коэффициента нагрузки. Определяется по графикам: Парфенов

    “Проектирование конструкций РЭА” стр. 176.

    Микросхемы: К(Q2=1,22(0,5=0,61

    Резисторы: К(Q2=1,22(0,53=0,65

    Конденсаторы: К(Q2=1,22(0,2=0.24

    Диоды: К(Q2=1,22(0,5=0,61

    Транзисторы: К(Q2=1,22(0.48=0,59

    Резонаторы: К(Q2=1,22(0.1=0,122

    (МС=0,013(10-6(0,61=7,9(10-9 1/ч

    (R=0,043(10-6(0,65=2,78(10-8 1/ч

    (C=0,075(10-6(0,24=1,83(10-8 1/ч

    (CЭ=0,035(10-6(0,24=8,5(10-9 1/ч

    (КВ=0,1(10-3(0,122=12(10-6 1/ч

    (VD=0,2(10-6(0,61=12,2(10-8 1/ч

    (VT=0,84(10-6(0,59=4,9(10-7 1/ч

    (пайки=0,01(10-6(1,22=12(10-9 1/ч

    (платы=0,7(10-6(1,22=0,85(10-6 1/ч

    (МС=7,9(10-9(23=1.8(10-7 1/ч

    (R=2,87(10-836=10-6 1/ч

    (C=1,83(10-8(23=4,2(10-7 1/ч

    (CЭ=8,5(10-9(4=34(10-9 1/ч

    (VD=1,22(10-7(6=7,3(10-7 1/ч

    (VT=4,9(10-7 1/ч

    (КВ=12(10-6(2=24(10-6 1/ч

    (ПЛ=0,85(10-6 1/ч

    (пайки=60(10-7 1/ч

    2. Интенсивность отказов узла:

    (1=[pic]=1,8(10-7+10-6+4,2(10-7+3,4(10-8+24(10-6+0,85(10-6+ +6(10-

    6+7,3(10-7+4,9(10-7=33,704(10-6 1/ч

    3. Вероятность безотказной работы для системы без резервирования равна:

    Р(tp)=exp(-(1tp)=exp(-33,7(3(10-3)=0,91

    Зададим tp=3000ч

    4. Среднее время наработки до отказа:

    Т=[pic]=29670,1ч

    ТЕХНИКО-

    ЭКОНОМИЧЕСКИЙ

    РАЗДЕЛ

    Р А З Д Е Л

    О Х Р А Н Ы

    Т Р У Д А

    По возникшим вопросам и за чертежами обращаться по адресу: wspider@mail.ru

    Чертежи:

    1) электрическая принципиальная схема (в AutoCad )

    2) сборочный чертеж

    3) разводка платы с двух сторон

    Также есть разделы экономики и охраны труда.

    Список литературы.

    1. Коффрон Дж. Технические средства микропроцессорных систем. – М.: Мир,

    1983

    2. Хвощ С.Т., Варлинский Н.Н., Попов Е.А. Микропроцессоры и микроЭВМ в

    системах автоматического управления. – Л.: Машиностроение, 1987.

    3. Хоровиц П., Хеши У. Искусство схемотехники. –М.: Мир, 1986.

    4. Микропроцессоры и микропроцессорные комплекты интегральных

    микросхем/справочник – М.: Радио и связь, 1986.

    5. Шило В.Л. Популярные цифровые микросхемы: справочник. – Челябинск:

    Металлургия, 1986.

    6. Якубовский С.В. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы:

    Справочник. – М.: Радио и связь, 1989.

    7. Александров К.К., Кузьмина Е.Г. Электротехнические чертежи и схемы. –

    М.: Энергоатомиздат, 1990.

    8. Павловский В.В., Васильев В.И., Гутман Т.Н. Проектирование

    технологических процессов изготовления РЭА / Пособие по курсовому

    проектированию для ВУЗов. – М.: Радио и связь, 1982.

    9. Парфенов К.М. Проектирование конструкций РЭА. – М.: Радио и связь, 1989.

    10. Егоров В.А., Лебедев К.М. и др. Конструкторско-технологическое

    проектирование печатных узлов / Учебное пособие. – СПб, 1995.

    11. Корчагина Р.Л. Технико-экономические обоснования при разработке

    радиоэлектронных приборов и устройств. / Учебное пособие по дипломному

    проектированию. – Л.: Механический институт, 1988.

    12. Безопасность жизнедеятельности: Справочное пособие по дипломному

    проектированию / Под редакцией Иванова Н.И. и Фадина И.М. – СПб.: БГТУ,

    1995.

    -----------------------

    ДУ

    Процессор

    ОЗУ

    ПЗУ

    Таймер

    Фиксиру-ющая схема

    БИ

    А

    Схема согласования

    ЦАП 1

    ЦАП 2

    В

    ЦАП 3

    С

    Блок экранной графики

    Управление последовательным В/В

    Управление прерываниями

    В(8) С(8)

    D(8) Е(8)

    Н(8) L(8)

    Указатель стека(16)

    Програм.счетчик (16)

    Устройство приращения/уменьшения

    Адресный ключ

    Времен-ной регистр(8)

    Регистр кода операции

    Регистр флажков

    (5)

    Накопи-тель

    (8)

    Дешифратор кода операции и формирователь машинных циклов

    АЛУ (8)

    Адресный буфер

    Буфер

    адресов/ данных

    Устройство управления и синхронизации

    Тактовый Прямой

    генератор доступ

    Управление Состояние к Сброс

    памяти

    40

    1

    1821ВМ85

    2

    1821ВМ85

    36

    DCX

    НК

    УЗ

    УС

    DCY

    УУ

    RESET U00

    PS U55

    AD0

    AD1

    AD2

    AD3

    IRQ

    AD4

    AD5

    AD6

    AD7

    AS

    SQW

    DS

    R/W

    CKOUT

    CE

    CKFS

    OSCI OSC2

    4

    5

    6

    7

    8

    9

    10

    11

    14

    17

    15

    13

    20

    2

    Внутренняя магистраль

    Канал А

    Канал данных

    Канал С

    Устройство управления

    Канал С

    Канал В

    [pic]

    D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

    D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

    [pic]RD WR SR CS A1 A0

    BC

    BB BA

    1

    11

    3

    4

    7

    8

    13

    14

    17

    18

    2

    5

    6

    9

    12

    15

    16

    19

    ЕО RG

    С Q1

    D1 Q2

    D2 Q3

    D3 Q4

    D4 Q5

    D5 Q6

    D6 Q7

    D7 Q8

    D8

    В

    В

    572ПА1

    К1409D8

    S

    G1 Q

    [pic] [pic]

    В

    R

    DC

    МП

    Устройство В/В

    ПЗУ

    ОЗУ

    +5B

    [pic]

    VT

    I(0<

    Iэ, мА

    [pic]

    R5

    [pic]

    U2

    VD3

    20

    15

    10

    5

    0,9

    0,8

    0,7

    0,6

    0,5

    Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7


    Приглашения

    09.12.2013 - 16.12.2013

    Международный конкурс хореографического искусства в рамках Международного фестиваля искусств «РОЖДЕСТВЕНСКАЯ АНДОРРА»

    09.12.2013 - 16.12.2013

    Международный конкурс хорового искусства в АНДОРРЕ «РОЖДЕСТВЕНСКАЯ АНДОРРА»




    Copyright © 2012 г.
    При использовании материалов - ссылка на сайт обязательна.