Разработка управления тюнером спутникового телевидения
0,7; 0,9; 1,1; 1,3; 1,5 мм.
Номинальное значение диаметров монтажных отверстий для разъема: d=1,5 мм.
6. Минимальное значение диаметра металлизированного отверстия:
dmin[pic]Hпл(, где Нпл=1,5 мм – толщина платы; (=0,25
dmin[pic]1,5(0,25=0,5 мм
7. Диаметр контактной площадки:
D=d+(dво+2вm+(вво+((2d+(2p+(в2но)1/2
(dво=0,5 мм; вm=0,025 мм (вво=(вно=0,05 мм
(р=0,05 мм; (d=0,05 мм
(dво+2 вm+(вво+((2d+(2p+(в2но)1/2=0,05+0,05+0,05+(3(25(10-4)1/2=0,24
d=0,7 мм D=0,95 мм
d=0,9 мм D=1,15 мм
d=1,5 мм D=1,75 мм
8. Определение номинальной ширины проводника:
в=вMD+((вНО(, где
вMD=0,15 мм; (вНО=0,05 мм
в=0,15+0,05=0,2 мм
9. Расчет зазора между проводниками:
S=SMD+(вВО, где
(вВО=0,05 мм; SMD=0,15 мм
S=0,15+0,05=0,2 мм
10. Расчет минимального расстояния для прокладки 2-х проводников между
отверстиями с контактными площадками диаметрами D1 и D2.
l=[pic]+вn+S(n+1)+(l , где
n=2; (l=0,03 мм
l=1,05+0,4+0,6+0,03=2,1 мм.
2.5. Расчет параметров проводящего рисунка с учетом технологических
погрешностей получения защитного рисунка.
1. Минимальный диаметр контактной площадки:
Dmin=D1min+1,5hф+0,03
D1min=2(вм+[pic]+(d+(p)
dmax1=0,9 мм
D1min=2(0,025+0,45+0,05+0,05)=1,15 мм
Dmin1=1,15+0,6=1,21
dmax2=1,5 мм
Dmin2=1,81 мм
2. Максимальный диаметр контактной площадки:
Dmax=Dmin+(0,02…0,06)
Dmax1=1,21+0,02=1,23 мм
Dmax2=1,81+0,02=1,83 мм
3. Минимальная ширина проводника:
вmin=в1min+1,5hф+0,03, где
в1min=0,15 мм
вmin=0,15+0,6=0,21
4. Максимальная ширина проводника:
вmax= вmin+(0,02…0,06)
вmax=0,23 мм
5. Минимальная ширина линии на фотошаблоне:
вмmin= вmin-(0,02…0,06)
вмmin=0,21-0,02=0,19 мм
6. Максимальная ширина линии на фотошаблоне:
вмmax= вmin+(0,02…0,06)
вмmax=0,21+0,06=0,27 мм
7. Минимальное расстояние между проводником и контактной площадкой:
S1min=L0-[Dmax/2+(p+ вmax/2+(l]
L0=1,25 мм
S1min=1,25-0,615-0,05-0.115-0,03=0,44 мм
8. Минимальное расстояние между двумя контактными площадками:
S2min=L0-(Dmax+2(p)
L0=1,25 мм+0,3 мм=1,55 мм
S2min=1,25-1,23-2(0,05+0,03=0,20 мм
9. Минимальное расстояние между проводником и контактной площадкой на
фотоблоке:
S3min=L0-(Bmax+2(l)
L0=1,25 мм
S3min=1,25-0,575-0,05-0,135-0,03=0,46 мм
10. Минимальное расстояние между проводником и контактной площадкой на
фотоблоке:
S4min=L0-(Dмmax/2+(p+вмmax/2+(l)
L0=1,25 мм
S4min=1,25-0,575-0,05-0,135-0,03=0,46 мм
11. Минимальное расстояние между двумя контактными площадками на фотоблоке:
S5min=L0-(Dмmax+2(p)
L0=1,55 мм
S5min=1,55-1,25-0,1=0,2 мм
12. Минимальное расстояние между двумя проводниками на фотоблоке:
S6min=L0-(вмmax+2(l)
L0=1,25 мм
S6min=1,25-0,27-0,06=0,92 мм
2.6. Расчет проводников по постоянному току.
Наиболее важными электрическими свойствами печатных плат по
постоянному току является нагрузочная способность проводников по току и
сопротивление изоляции.
Практически сечение проводника рассчитывается по допустимому падению
напряжения Uп на проводнике:
1. Uп=[pic] вп=0,23 мм hф=0,02 мм
l=0,5 м (=0,0175 [pic] I=30 мА
Uп=[pic]=57 мВ
Uп103Rвх, где Rвх=[pic]=10 кОм.
2.7. Расчет проводников по переменному току.
1. Падение импульсного напряжения на длине проводника в l cм.
UL=Lпо[pic] Lпо=1,8 [pic]; (I=6 мА; tU=5 нс
UL=1,8 [pic]=2,16[pic]
2. Максимальная длина проводника:
lmaxa(x,y)=11,13g
0,003в=0,54 мм>(B=0,47 мм
Расчет ударопрочности.
1. Частота ударного импульса:
(=[pic] (=10-3 c (=3140
2. Коэффициент передачи при ударе:
Ку=2sin[pic]=2sin[pic]=0,45
[pic]=6,95 – коэффициент расстройки
3. Ударное ускорение:
ау=Ну(Ку=15g(0,45=6,72g
4. Ударное перемещение:
[pic]мм
Вывод: адоп=35g>ay=6,72g
0,003в=0,54 мм>Zmax=0,15 мм
5. Частным случаем ударного воздействия является удар при падении прибора.
Относительная скорость соударения:
V0=Vy+V0T
Vy=[pic] H=0,1 м
V0T=Vy(KCB=1,41(0,68=20,97 м/с
V0=1,41+0,97=2.38 м/с
Действующее на прибор ускорение:
ап=2(V0f0=6,28(2,38(71,9=109g
aдоп=150g>aп=109g
2.9. Расчет теплового режима.
Размеры нагретой зоны:
l31=180 мм; l32=215 мм; l33=15 мм
Размеры блока:
l(1=220 мм; l(2=255 мм; l(3=55 мм
1. Площадь блока.
S(=2(l(1 l(2+( l(1+ l(2) l(3)=2(0,22(0,255+(0,22+0,255)0,055)=0,16 м2
2. Поверхность нагретой зоны:
SH3=2(l31 l32+( l31+ l32) l33)=2(0,18(0,215+(0,18+0,215)0,015)=0,09 м2
3. Удельная мощность, рассеиваемая блоком:
q(=[pic]=93,75 Вт/м2
4. Удельная мощность, рассеиваемая зоной:
qH3=[pic] Вт/м2
5. Перегрев блока и нагретой зоны относительно окружающей среды:
(Т,(С
(Т1=10(С - q(
(T2=15(C - qНЗ
50 100 150 200 250 q(,qНЗ Вт/м2
6. Площадь вентиляции:
SBO=S((0,2=0,16(0,2=0,032 м2
7. Коэффициент перфорации:
КПФ=[pic]
8. Коэффициент, учитывающий перегрев при наличии вентиляционных отверстий:
Кm=У(КПФ)
Km
Km=0,5
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 КПФ
9. Перегрев поверхности блока с учетом перфорации:
(Т(=0,93(Кm(Т1=0,93(0,5(10=4,65(С
10. Перегрев нагретой зоны с учетом перфорации:
(ТНЗ=Кm(Т2=0,5(15=7,5(С
11. Перегрев воздуха в блоке:
(ТСП=0,6(ТНЗ=0,6(7,5=4,5(С
12. Удельная мощность, рассеиваемая компонентом:
qK=[pic]=[pic]=2555,4 Вт/м2
13. Перегрев поверхности компонента:
(ТК=(ТНЗ(0,75+0,25[pic])=7,5(0,75+0,25[pic])=34,4(С
14. Перегрев воздуха над компонентом:
(ТСК=(ТСП(0,75+0,25[pic])=20,61(С
15. Температура блока:
Т(=ТОС+(Т(=25+4,65=29,65(С
16. Температура нагретой зоны:
ТНЗ= ТОС+(ТНЗ=25+7,5=32,5(С
17. Температура воздуха в нагретой зоне:
ТСП= ТОС+(ТСП=25+4,5=29,5(С
18. Температура компонента:
ТК= ТОС+(ТК=25+34,4=59,4(С
19. Температура окружающей компонент среды:
ТСК= ТОС+(ТСК=25+20,61=45,61(С
Тдоп=70(С>ТК=59,4(С
В данном блоке не нужна принудительная вентиляция, т.к. естественные
условия допускают температурный режим.
2.10. Расчет качества.
Расчет качества будем производить по следующим показателям:
1. Назначения.
2. Надежности.
3. Технологичности.
4. Эргономико-эстетическим.
1)
|Назначение |Б |Д |gi |mi |gi mi|
|Масса, кг |6,5 |5,4 |1,2 |0,3 |0,36 |
|Объем, дм3 |15,7 |8,3 |1,9 |0,3 |0,57 |
|Мощность, Вт |50 |40 |1,25 |0,2 |0,25 |
|Уровень миниатюризации |2 |1 |2 |0,2 |0,4 |
Q=[pic]=1,58, Q2=qimi
2) Основным показателем надежности является среднее время наработки на
отказ:
ТсрБ=20(103ч ТсрД=29(103 ч
qi=[pic]1,8 m2=1
3)
|Технологичность |Б |Д |gi |mi |gi mi|
|Коэффициент автоматизации и | | | | | |
|механизации монтажа |0,81 |0,92 |1,13 |0,3 |0,34 |
|Коэффициент подготовки ЭРЭ к| | | | | |
|монтажу |0,35 |0,55 |1,57 |0,3 |0,47 |
|Коэффициент повторяемости | | | | | |
|ЭРЭ |0,49 |0,56 |1,14 |0,2 |0,23 |
|Коэффициент применяемости | | | | | |
| |0,9 |0,86 |1,04 |0,2 |0,21 |
Q=1,25
4) Эргономико-эстетические.
Оценку будем вести по пятибальной шкале.
|Б |Д |g |m |Gm |
|3 |5 |1,67 |1 |1,67 |
В данном случае учитывается более оригинальный вид, удобства в
эксплуатации, увеличение количества принимаемых каналов.
Оценим комплексный показатель качества:
Qкомпл=1,58(0,3+1,8(0,2+1,25(0,2+1,67(0,3=0,474+0,36+0,25+0,501=
=1,587
2.11 Расчет надежности.
1. Интенсивность отказов элементов в зависимости от условий эксплуатации
изделия
(2=(02K1K2K3 К4Q2(T,KH)
(02 – номинальная интенсивность отказов
K1 и K2 – поправочные коэффициенты в зависимости от воздействия
механических факторов. Для стационарной аппаратуры K1 =1,04; K2=1,03.
К3 – поправочный коэффициент в зависимости от воздействия влажности и
температуры. Для влажности 60(70 % т Т=20(40(С К3=1.
К4 – поправочный коэффициент в зависимости от давления воздуха К4=1,14.
K1K2K3 К4=1,22
Q2(КН,Т) – поправочный коэффициент в зависимости от температуры поверхности
элемента и коэффициента нагрузки. Определяется по графикам: Парфенов
“Проектирование конструкций РЭА” стр. 176.
Микросхемы: К(Q2=1,22(0,5=0,61
Резисторы: К(Q2=1,22(0,53=0,65
Конденсаторы: К(Q2=1,22(0,2=0.24
Диоды: К(Q2=1,22(0,5=0,61
Транзисторы: К(Q2=1,22(0.48=0,59
Резонаторы: К(Q2=1,22(0.1=0,122
(МС=0,013(10-6(0,61=7,9(10-9 1/ч
(R=0,043(10-6(0,65=2,78(10-8 1/ч
(C=0,075(10-6(0,24=1,83(10-8 1/ч
(CЭ=0,035(10-6(0,24=8,5(10-9 1/ч
(КВ=0,1(10-3(0,122=12(10-6 1/ч
(VD=0,2(10-6(0,61=12,2(10-8 1/ч
(VT=0,84(10-6(0,59=4,9(10-7 1/ч
(пайки=0,01(10-6(1,22=12(10-9 1/ч
(платы=0,7(10-6(1,22=0,85(10-6 1/ч
(МС=7,9(10-9(23=1.8(10-7 1/ч
(R=2,87(10-836=10-6 1/ч
(C=1,83(10-8(23=4,2(10-7 1/ч
(CЭ=8,5(10-9(4=34(10-9 1/ч
(VD=1,22(10-7(6=7,3(10-7 1/ч
(VT=4,9(10-7 1/ч
(КВ=12(10-6(2=24(10-6 1/ч
(ПЛ=0,85(10-6 1/ч
(пайки=60(10-7 1/ч
2. Интенсивность отказов узла:
(1=[pic]=1,8(10-7+10-6+4,2(10-7+3,4(10-8+24(10-6+0,85(10-6+ +6(10-
6+7,3(10-7+4,9(10-7=33,704(10-6 1/ч
3. Вероятность безотказной работы для системы без резервирования равна:
Р(tp)=exp(-(1tp)=exp(-33,7(3(10-3)=0,91
Зададим tp=3000ч
4. Среднее время наработки до отказа:
Т=[pic]=29670,1ч
ТЕХНИКО-
ЭКОНОМИЧЕСКИЙ
РАЗДЕЛ
Р А З Д Е Л
О Х Р А Н Ы
Т Р У Д А
По возникшим вопросам и за чертежами обращаться по адресу: wspider@mail.ru
Чертежи:
1) электрическая принципиальная схема (в AutoCad )
2) сборочный чертеж
3) разводка платы с двух сторон
Также есть разделы экономики и охраны труда.
Список литературы.
1. Коффрон Дж. Технические средства микропроцессорных систем. – М.: Мир,
1983
2. Хвощ С.Т., Варлинский Н.Н., Попов Е.А. Микропроцессоры и микроЭВМ в
системах автоматического управления. – Л.: Машиностроение, 1987.
3. Хоровиц П., Хеши У. Искусство схемотехники. –М.: Мир, 1986.
4. Микропроцессоры и микропроцессорные комплекты интегральных
микросхем/справочник – М.: Радио и связь, 1986.
5. Шило В.Л. Популярные цифровые микросхемы: справочник. – Челябинск:
Металлургия, 1986.
6. Якубовский С.В. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы:
Справочник. – М.: Радио и связь, 1989.
7. Александров К.К., Кузьмина Е.Г. Электротехнические чертежи и схемы. –
М.: Энергоатомиздат, 1990.
8. Павловский В.В., Васильев В.И., Гутман Т.Н. Проектирование
технологических процессов изготовления РЭА / Пособие по курсовому
проектированию для ВУЗов. – М.: Радио и связь, 1982.
9. Парфенов К.М. Проектирование конструкций РЭА. – М.: Радио и связь, 1989.
10. Егоров В.А., Лебедев К.М. и др. Конструкторско-технологическое
проектирование печатных узлов / Учебное пособие. – СПб, 1995.
11. Корчагина Р.Л. Технико-экономические обоснования при разработке
радиоэлектронных приборов и устройств. / Учебное пособие по дипломному
проектированию. – Л.: Механический институт, 1988.
12. Безопасность жизнедеятельности: Справочное пособие по дипломному
проектированию / Под редакцией Иванова Н.И. и Фадина И.М. – СПб.: БГТУ,
1995.
-----------------------
ДУ
Процессор
ОЗУ
ПЗУ
Таймер
Фиксиру-ющая схема
БИ
А
Схема согласования
ЦАП 1
ЦАП 2
В
ЦАП 3
С
Блок экранной графики
Управление последовательным В/В
Управление прерываниями
В(8) С(8)
D(8) Е(8)
Н(8) L(8)
Указатель стека(16)
Програм.счетчик (16)
Устройство приращения/уменьшения
Адресный ключ
Времен-ной регистр(8)
Регистр кода операции
Регистр флажков
(5)
Накопи-тель
(8)
Дешифратор кода операции и формирователь машинных циклов
АЛУ (8)
Адресный буфер
Буфер
адресов/ данных
Устройство управления и синхронизации
Тактовый Прямой
генератор доступ
Управление Состояние к Сброс
памяти
40
1
1821ВМ85
2
1821ВМ85
36
DCX
НК
УЗ
УС
DCY
УУ
RESET U00
PS U55
AD0
AD1
AD2
AD3
IRQ
AD4
AD5
AD6
AD7
AS
SQW
DS
R/W
CKOUT
CE
CKFS
OSCI OSC2
4
5
6
7
8
9
10
11
14
17
15
13
20
2
Внутренняя магистраль
Канал А
Канал данных
Канал С
Устройство управления
Канал С
Канал В
[pic]
D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
[pic]RD WR SR CS A1 A0
BC
BB BA
1
11
3
4
7
8
13
14
17
18
2
5
6
9
12
15
16
19
ЕО RG
С Q1
D1 Q2
D2 Q3
D3 Q4
D4 Q5
D5 Q6
D6 Q7
D7 Q8
D8
В
В
572ПА1
К1409D8
S
G1 Q
[pic] [pic]
В
R
DC
МП
Устройство В/В
ПЗУ
ОЗУ
+5B
[pic]
VT
I(0<
Iэ, мА
[pic]
R5
[pic]
U2
VD3
20
15
10
5
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7
|